[发明专利]真空容器和等离子体处理装置

权利要求书

1.一种真空容器，其形成在真空状态下对被处理体进行规定处理的处理空间，其特征在于，包括：

下部容器，其呈上部开口的箱状，内部配置有载置被处理体的载置台；和

上部容器，其能够相对于所述下部容器开闭，在关闭状态下与所述下部容器气密接合，

所述上部容器具有：与所述下部容器的开口端抵接的第一框体；固定在该第一框体上的梁结构体；和在从外侧连接并支承在所述梁结构体上的状态下向所述处理空间导入处理气体的喷淋头，

在所述喷淋头的上部露出在大气压空间的状态下通过所述梁结构体使所述喷淋头具有对大气压的耐压强度。

2.如权利要求1所述的真空容器，其特征在于：

所述喷淋头具有：设有多个气体喷出孔并与所述载置台对置的气体喷射板；支承该气体喷射板的底板；和由所述气体喷射板和所述底板划分的内部的气体扩散空间，

露出在大气压的外部空间的所述底板由所述梁结构体支承。

3.如权利要求2所述的真空容器，其特征在于：

所述底板以在所述处理空间为真空的状态时单独不具有足够的对大气压的耐压强度的厚度构成。

4.如权利要求2或3所述的真空容器，其特征在于：

以所述喷淋头为上部电极，以所述载置台为下部电极，在所述处理空间内形成有用于产生等离子体的一对相对电极。

5.如权利要求4所述的真空容器，其特征在于：

在所述底板和所述第一框体之间配设有由绝缘性材料构成的衬垫部件。

6.如权利要求4所述的真空容器，其特征在于：

在所述底板和所述梁结构体之间具有导电性板部件，从所述底板经由所述导电性板部件朝向所述第一框体形成电流的路径。

7.如权利要求6所述的真空容器，其特征在于：

所述底板和所述导电性板部件在所述底板的中央部电连接。

8.如权利要求1～3中任一项所述的真空容器，其特征在于：

所述梁结构体和所述喷淋头通过能够可变地调节所述喷淋头的高度位置的多个连接机构连接。

9.如权利要求1～3中任一项所述的真空容器，其特征在于：

所述梁结构体具有拱形的梁部件。

10.一种真空容器，其形成在真空状态下对被处理体进行规定处理的处理空间，其特征在于，包括：

下部容器，其呈上部开口的箱状，内部配置有载置被处理体的载置台；和

上部容器，其能够相对于所述下部容器开闭，在关闭状态下与所述下部容器气密接合，

所述上部容器具有：与所述下部容器的开口端抵接的第一框体；固定在该第一框体上的梁结构体；和与作为下部电极的所述载置台对置，从外侧连接并支承在所述梁结构体上的上部电极，

在所述上部电极的上部露出在大气压空间的状态下通过所述梁结构体使所述上部电极具有对大气压的耐压强度。

11.如权利要求10所述的真空容器，其特征在于：

在所述上部电极和所述梁结构体之间具有导电性板部件，从所述上部电极经由所述导电性板部件朝向所述第一框体形成电流的路径。

12.如权利要求11所述的真空容器，其特征在于：

所述上部电极和所述导电性板部件在所述上部电极的中央部电连接。

13.一种真空容器，其形成在真空状态下对被处理体进行规定处理的处理空间，其特征在于，包括：

下部容器，其在内部配置有载置被处理体的载置台；和

上部容器，其能够相对于所述下部容器开闭，在关闭状态下与所述下部容器气密接合，

所述下部容器具有：抵接在所述上部容器上并具有支承所述载置台的支承部的第二框体；和固定在该第二框体上的梁结构体，

由所述第二框体的所述支承部支承所述载置台，在所述载置台的底部露出在大气压空间的状态下通过所述梁结构体使所述载置台具有对大气压的耐压强度。

14.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

权利要求1～13中任一项所述的真空容器。