[发明专利]真空容器和等离子体处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及在对例如平板显示器(FPD)用的玻璃基板等的被处理体以真空状态进行等离子体处理等时收容被处理体的真空容器以及具备该真空容器的等离子体处理装置。

背景技术

在以液晶显示器(LCD)为代表的FPD的制造过程中，在真空下对玻璃基板等的被处理体进行蚀刻、成膜等各种处理。为了利用等离子体进行所述处理，使用具有能够抽真空的等离子体处理容器的等离子体处理装置。等离子体处理容器为了在真空状态下进行等离子体处理，需要承受容器内外的压力差的强度。因此，在现有的等离子体处理容器中，内部收容被处理体的容器主体和能够相对于该容器主体开闭的盖体都由铝等材质的厚壁部件形成，从而具有作为真空装置的机械强度(例如专利文献1)。

但是，近年来，对FPD用的基板强烈要求大型化，与此对应，等离子体处理容器也有大型化的倾向。现在也制造以一边超过2m的矩形基板为处理对象的等离子体处理容器，今后必然还会进一步大型化。如此一来，等离子体处理容器大型化的结果是，为了维持对大气压的耐压强度，需要增加构成容器的部件的厚度。例如，仅仅在处理现在第八代(2200mm×2400mm)的液晶显示器用基板的等离子体处理容器中，施加给盖体的大气压就会超过60t。因此，为了防止盖体弯曲，需要将盖体的壁厚增加到200mm程度。结果，仅是盖体的材料费和加工费就增加，需要将其消减。

专利文献1：日本特开2006-283096号

发明内容

本发明是鉴于上述问题而研发的，其目的在于提供一种作为真空容器能够维持充分的机械强度，同时能够实现轻量化，并且能够极力减轻其材料费和加工费的真空容器。

本发明第一观点的真空容器，形成在真空状态下对被处理体进行规定处理的处理空间，其包括：下部容器，其呈上部开口的箱状，内部配置有载置被处理体的载置台；和上部容器，其能够相对于上述下部容器开闭，在关闭状态下与上述下部容器气密接合，

上述上部容器具有：与上述下部容器的开口端抵接的第一框体；固定在该第一框体上的梁结构体；和在从外侧连接并支承在上述梁结构体上的状态下向上述处理空间导入处理气体的喷淋头，

在上述喷淋头的上部露出在大气压空间的状态下通过上述梁结构体使上述喷淋头具有对大气压的耐压强度。

在本发明的第一观点的真空容器中，优选上述喷淋头具有：设有多个气体喷出孔并与上述载置台对置的气体喷射板；支承该气体喷射板的底板；和由上述气体喷射板和上述底板划分的内部的气体扩散空间，露出在大气压的外部空间的上述底板由上述梁结构体支承。在这种情况下，优选上述底板以在上述处理空间为真空的状态时单独不具有足够的对大气压的耐压强度的厚度构成。

在本发明的第一观点的真空容器中，优选以上述喷淋头为上部电极，以上述载置台为下部电极，在上述处理空间内形成有用于产生等离子体的一对相对电极。

在本发明的第一观点的真空容器中，优选在上述底板和上述第一框体之间配设有由绝缘性材料构成的衬垫部件。

在本发明的第一观点的真空容器中，优选在上述底板和上述梁结构体之间具有导电性板部件，从上述底板经由上述导电性板部件朝向上述第一框体形成电流的路径。在这种情况下，优选上述底板和上述导电性板部件在上述底板的中央部电连接。

在本发明的第一观点的真空容器中，优选上述梁结构体和上述喷淋头通过能够可变地调节上述喷淋头的高度位置的多个连接机构连接。

在本发明的第一观点的真空容器中，优选上述梁结构体具有拱形的梁部件。

本发明的第二观点的真空容器，形成在真空状态下对被处理体进行规定处理的处理空间，其包括：下部容器，其呈上部开口的箱状，内部配置有载置被处理体的载置台；和上部容器，其能够相对于上述下部容器开闭，在关闭状态下与上述下部容器气密接合，

上述上部容器具有：与上述下部容器的开口端抵接的第一框体；固定在该第一框体上的梁结构体；和与作为下部电极的上述载置台对置，从外侧连接并支承在上述梁结构体上的上部电极，

在上述上部电极的上部露出在大气压空间的状态下通过上述梁结构体使上述上部电极具有对大气压的耐压强度。

在本发明的第二观点的真空容器中，优选在上述上部电极和上述梁结构体之间具有导电性板部件，从上述上部电极经由上述导电性板部件朝向上述第一框体形成电流的路径。在这种情况下，优选上述上部电极和上述导电性板部件在上述上部电极的中央部电连接。

本发明的第三观点的真空容器，形成在真空状态下对被处理体进行规定处理的处理空间，其特征在于，包括：