[发明专利]分离基板与半导体层的方法无效
| 申请号： | 200910130868.2 | 申请日： | 2009-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101866880A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 涂博闵;黄世晟;叶颖超;林文禹;吴芃逸;马志邦;洪梓健;沈佳辉 | 申请（专利权）人： | 先进开发光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/31;H01L21/311;H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 吕俊清 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 分离 半导体 方法 | ||
1.一种分离基板与半导体层的方法，包含下列步骤：
提供一暂时基板；
形成一图案化二氧化硅层位于该暂时基板上；
成长一半导体层位于该图案化二氧化硅层上；
第一次蚀刻该图案化二氧化硅层；以及
第二次蚀刻该暂时基板与该半导体层的界面以移除该暂时基板。
2.一种分离基板与半导体层的方法，包含下列步骤：
提供一暂时基板；
形成一包含孔洞的图案化二氧化硅层位于该暂时基板上；
形成一孔洞填补层位于该包含孔洞的图案化二氧化硅层上；
形成一半导体层位于该孔洞填补层上；
第一次蚀刻该包含孔洞的图案化二氧化硅层；以及
第二次蚀刻该孔洞填补层以移除该暂时基板。
3根据权利要求1或2所述的分离基板与半导体层的方法，其中该第一次蚀刻为湿式蚀刻，以BOE化学蚀刻液蚀刻该图案化二氧化硅层。
4.根据权利要求1所述的分离基板与半导体层的方法，其中该第二次蚀刻是以KOH、H2SO4或是H3PO4化学蚀刻液蚀刻该暂时基板。
5.根据权利要求2所述的分离基板与半导体层的方法，其中该第二次蚀刻是以KOH、H2SO4或是H3PO4化学蚀刻液蚀刻该孔洞填补层。
6.根据权利要求5所述的分离基板与半导体层的方法，其中该孔洞填补层为III-V族氮化合物。
7.根据权利要求1或2所述的分离基板与半导体层的方法，其中还包含形成一金属镜面于该半导体层上，形成一导电材料层于该金属镜面上。
8.根据权利要求7所述的分离基板与半导体层的方法，其中该金属镜面材料为银或是铝银合金，该导电材料层为类钻石、铜、铜钨合金或是镍。
9.根据权利要求1或2所述的分离基板与半导体层的方法，其中该图案化二氧化硅层为连续或是部份连续的图案，且为圆柱状凹槽、多角柱状凹槽或是长条状凹槽。
10.根据权利要求9所述的分离基板与半导体层的方法，其中该图案化二氧化硅层厚度介于0.05μm～2.0μm，该图案化二氧化硅层的凹槽宽度介于0.1μm～10.0μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
