[发明专利]影像显示系统及其制造方法有效
申请号: | 200910131057.4 | 申请日: | 2009-04-21 |
公开(公告)号: | CN101872779A | 公开(公告)日: | 2010-10-27 |
发明(设计)人: | 刘侑宗;李淂裕;张美玲 | 申请(专利权)人: | 统宝光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L29/786;H01L29/04;H01L29/41;H01L21/84;H01L21/336;G09F9/33 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像 显示 系统 及其 制造 方法 | ||
1.一种影像显示系统,包括:
薄膜晶体管装置,包括:
基板,具有像素区;以及
驱动薄膜晶体管及开关薄膜晶体管,分别位于该像素区且设置于该基板上,其中该驱动薄膜晶体管包括多晶硅有源层,且该开关薄膜晶体管包括非晶硅有源层。
2.如权利要求1所述的影像显示系统,其中该驱动薄膜晶体管还包括第一栅极电极,位于该多晶硅有源层上方,且该开关薄膜晶体管还包括第二栅极电极,位于该非晶硅有源层下方。
3.如权利要求2所述的影像显示系统,其中该驱动薄膜晶体管还包括第一源极/漏极电极,电性连接至该多晶硅有源层,且该开关薄膜晶体管还包括第二源极/漏极电极,电性连接至该非晶硅有源层,其中该第一源极/漏极电极与该第二源极/漏极电极由同一金属层构成。
4.如权利要求3所述的影像显示系统,其中该非晶硅有源层还包括:
源极/漏极区,与该第二源极/漏极电极接触;以及
沟道区,位于该源极/漏极层与该第二栅极电极之间。
5.如权利要求2所述的影像显示系统,其中该第一栅极电极与该第二栅极电极由同一金属层所构成。
6.如权利要求1所述的影像显示系统,还包括缓冲层,覆盖该基板,且由氧化硅层、氮化硅层、或其组合构成。
7.如权利要求1所述的影像显示系统,还包括:
平面显示装置,包括该薄膜晶体管装置,其中该平面显示装置为有机发光二极管显示器。
8.如权利要求7所述的影像显示系统,还包括电子装置,且该电子装置还包括:
该平面显示装置;以及
输入单元,耦接至该平面显示装置,用以提供输入至该平面显示装置,使该平面显示装置显示影像,其中该电子装置包括笔记型电脑、手机、数字相机、个人数字助理、桌上型电脑、电视机、车用显示器或携带型DVD播放器。
9.一种影像显示系统的制造方法,其中该系统具有薄膜晶体管装置,而该方法包括:
提供基板,其具有像素区;以及
在该基板的该像素区上分别形成驱动薄膜晶体管及开关薄膜晶体管,
其中该驱动薄膜晶体管包括多晶硅有源层,且该开关薄膜晶体管包括非晶硅有源层。
10.如权利要求9所述的影像显示系统的制造方法,其中该驱动薄膜晶体管还包括第一栅极电极,位于该多晶硅有源层上方,而该开关薄膜晶体管还包括第二栅极电极,位于该非晶硅有源层下方,且该第一栅极电极与该第二栅极电极同时由金属层所定义而成。
11.如权利要求9所述的影像显示系统的制造方法,其中形成该驱动薄膜晶体管及该开关薄膜晶体管包括:
在该基板的该像素区上形成该多晶硅有源层;
在该多晶硅有源层上及该基板上覆盖第一绝缘层;
在该第一绝缘层上分别形成第一栅极电极及第二栅极电极,其中该第一栅极电极位于该多晶硅有源层上方;
在该第一栅极电极及该第二栅极电极上覆盖第二绝缘层;
在该第二栅极电极上方的该第二绝缘层上形成该非晶硅有源层;以及
在该第二绝缘层上形成第一源极/漏极电极及第二源极/漏极电极,且经由该第二绝缘层分别电性连接至该多晶硅有源层及该非晶硅有源层。
12.如权利要求11所述的影像显示系统的制造方法,其中该非晶硅有源层还包括:
源极/漏极层,与该第二源极/漏极电极接触;以及
沟道层,位于该源极/漏极层与该第二栅极电极之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的