[发明专利]影像显示系统及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种平面显示器技术，特别是涉及一种有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)显示器中具有不同的电特性(electrical characteristic)的薄膜晶体管(TFT)装置以及具有这些TFT装置的影像显示系统及其制造方法。

背景技术

近年来，有源阵列平面显示器的需求快速的增加，例如有源阵列有机发光二极管(active matrix OLED，AMOLED)显示器。AMOLED显示器通常利用薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)作为像素区的开关元件以及发光元件的驱动元件。另外，AMOLED显示器的周边电路区(即，驱动电路区)也需要使用由TFT所构成的CMOS电路。

依据有源层所使用的材料分为非晶硅(a-Si)及多晶硅TFT。非晶硅TFT的制作较为简单且成本低，然而TFT有源层(active layer)容易劣化而不适合作为发光元件的驱动元件。现行的多晶硅TFT由低温多晶硅(low temperature polysilicon，LTPS)工艺制作而成，其具有高载流子迁移率及高驱动电路集成度及低漏电流的优势。然而，在上述LTPS工艺期间，TFT的有源层是采用高功率激光结晶化工艺所形成的，因此制作成本高。再者，由于激光输出能量不均，使得所形成的每一OLED驱动TFT的驱动电流有所差异而造成显示器产生视觉缺陷/发光不均匀(mura)的问题。

另外，在AMOLED显示器中，像素区中开关元件的电特性需不同于发光元件的驱动元件。举例而言，驱动元件需具有高次临界摆荡及低阈值电压(threshold voltage)等特性，藉以增加显示灰阶(gray scale)及延长OLED寿命。然而，以上述LTPS工艺，要制作具有不同电特性的开关TFT与驱动TFT是相当困难的。

发明内容

本发明实施例提供一种影像显示系统，包括：薄膜晶体管装置，其包括：基板、驱动薄膜晶体管、以及开关薄膜晶体管。基板具有像素区。驱动薄膜晶体管及开关薄膜晶体管分别位于像素区且设置于基板上。其中，驱动薄膜晶体管包括多晶硅有源层，而开关薄膜晶体管包括非晶硅有源层。

本发明另一实施例提供一种影像显示系统的制造方法，其中此系统具有薄膜晶体管装置，而此方法包括：提供基板，其具有像素区。在基板的像素区上分别形成驱动薄膜晶体管及开关薄膜晶体管。其中，驱动薄膜晶体管包括多晶硅有源层，且开关薄膜晶体管包括非晶硅有源层。

附图说明

图1绘示出有源阵列有机发光二极管显示器平面示意图；

图2绘示出图1中像素单元的电路示意图；

图3A至图3H绘示出根据本发明实施例的具有薄膜晶体管的影像显示系统的制造方法剖面示意图；以及

图4绘示出根据本发明另一实施例的影像显示系统方框图。

附图标记说明

10：显示面板                  10a：像素单元

12：数据线驱动电路            14：扫描线驱动电路

16、360：开关薄膜晶体管       18、350：驱动薄膜晶体管

20：储存电容器                22：发光元件

100：像素区                   300：基板

302：缓冲层                   304：多晶硅有源层

304a：源极/漏极区             304b：沟道区

306：第一绝缘层               308：金属层

308a：第一栅极电极            308b：下电极

308c：第二栅极电极            309：重离子注入

310：第二绝缘层               312：非晶硅层

314：掺杂的非晶硅层           315、317：开口

322：沟道层                   324：源极/漏极层

325：非晶硅有源层             326：第一源极/漏极电极

328：上电极                   330：第二源极/漏极电极

400：薄膜晶体管装置     500：平面显示器装置

600：输入单元           700：电子装置

D1-Dn：数据线           S1-Sn：扫描线