[发明专利]氮化物系半导体发光组件

权利要求书

1.一种氮化物系半导体发光组件，其特征是：该氮化物系半导体发光

组件系包含：

一发光外延层；

一P型电极，设于该发光外延层之上；以及

一N型电极，设于该发光外延层之上，并位于该P型电极的内侧；

其中，该P型电极从该发光外延层的边缘向该N型电极呈辐射状延伸，该N型电极从该P型电极的内侧边缘向内呈辐射状延伸。

2.根据权利要求1所述的氮化物系半导体发光组件，其特征是：所述发光外延层包含：

一N型半导体层；

一发光层，设于该N型半导体层之上；以及

一P型半导体层，设于该发光层之上。

3.根据权利要求2所述的氮化物系半导体发光组件，其特征是：所述P型电极系设于P型半导体层之上，并与发光层相对。

4.根据权利要求3所述的氮化物系半导体发光组件，其特征是：所述氮化物系半导体发光组件更包含：

一透明导电层，设于P型半导体层及P型电极之间。

5.根据权利要求2所述的氮化物系半导体发光组件，其特征是：所述N型电极设于N型半导体层之上。

6.根据权利要求1所述的氮化物系半导体发光组件，其特征是：所述P型电极的面积大于N型电极的面积。

7.根据权利要求1所述的氮化物系半导体发光组件，其特征是：所述P型电极的周长大于N型电极的周长。

8.根据权利要求1所述的氮化物系半导体发光组件，其特征是：所述P型电极及N型电极的总面积小于发光外延层的面积的百分之十五。

9.根据权利要求1所述的氮化物系半导体发光组件，其特征是：所述P型电极外侧的边缘与发光外延层的边缘间的距离介于2μm与300μm之间。

10.根据权利要求9所述的氮化物系半导体发光组件，其特征是：所述P型电极外侧的边缘与发光外延层的边缘间的距离介于50μm与150μm之间。

11.根据权利要求1所述的氮化物系半导体发光组件，其特征是：所述P型电极外侧的边缘与发光外延层的边缘间的距离不大于P型电极内侧的边缘与N型电极外侧的边缘间的距离。

12.根据权利要求1所述的氮化物系半导体发光组件，其特征是：所述N型电极包围出：

一第一区域；以及

一第二区域，位于该第一区域的一侧。

13.根据权利要求12所述的氮化物系半导体发光组件，其特征是：所述P型电极包含：

一第一分支，设于该N型电极的该第一区域之上；以及

一第二分支，设于该N型电极的该第二区域之上。

14.根据权利要求1所述的氮化物系半导体发光组件，其特征是：所述氮化物系半导体发光组件更包含：

一基板，设于发光外延层之下，并与P型电极及N型电极相对。

15.根据权利要求1所述的氮化物系半导体发光组件，其特征是：所述P型电极为一封闭结构。

16.一种氮化物系半导体发光组件，其特征是：所述氮化物系半导体发光组件系包含：

一发光外延层；

一P型电极，设于该发光外延层之上；以及

一N型电极，设于该发光外延层之上，并位于该P型电极的内侧，该N型电极包含至少一条状结构及至少一凸状结构；

其中，该N型电极的该条状结构靠近该发光外延层的一边与该发光外延层间的距离小于该N型电极的该凸状结构靠近该发光外延层的一边与该发光外延层间的距离。

17.根据权利要求16所述的氮化物系半导体发光组件，其特征是：所述P型电极包含至少一条状结构及至少一凸状结构。

18.根据权利要求16所述的氮化物系半导体发光组件，其特征是：所述P型电极的面积大于N型电极的面积。

19.根据权利要求16所述的氮化物系半导体发光组件，其特征是：所述P型电极的周长大于N型电极的周长。

20.根据权利要求16所述的氮化物系半导体发光组件，其特征是：所述P型电极及N型电极的总面积小于发光外延层的面积的百分之十五。