[发明专利]氮化物系半导体发光组件

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光组件，尤其涉及一种氮化物系半导体发光组件。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是由半导体材料所制成的发光组件，组件具有两个电极端子，在端子间施加电压，通入极小的电流，经由电子与空穴(electron hole，又称电洞)的结合可将剩余能量以光的形式激发释出，此即发光二极管的基本发光原理。发光二极管不同于一般白炽灯泡，发光二极管系属冷发光，具有耗电量低、组件寿命长、无须暖灯时间及反应速度快等优点，再加上其体积小、耐震动、适合量产，容易配合应用上的需求制成极小或阵列式的元件，目前发光二极管已普遍使用于信息、通讯及消费性电子产品的指示器与显示装置上，成为日常生活中不可或缺的重要组件。

目前为了增加发光二极管的发光面积，通过特殊的电极图案设计，以增加发光二极管的发光面积。因习知发光二极管的P型电极覆盖P型半导体层大部分的面积，导致发光二极管的发光效率不佳的问题。

有鉴于上述问题，本发明提供一种氮化物系半导体发光组件，通过特殊的电极图案(electrode pattern，又称电极图形)设计，以增加发光二极管的发光面积，进而提升发光二极管的发光效率。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种氮化物系半导体发光组件，N型电极设于P型电极内，N型电极的面积较小，以增加该发光组件的发光面积。

为解决上述技术问题，本发明系提供一种氮化物系半导体发光组件，该发光组件包含一发光外延层(epitaxial layer，又称磊晶层)、一P型电极及一N型电极，该P型电极及该N型电极设于该发光外延层之上，该N型电极位于该P型电极的内侧，该P型电极从该发光外延层的边缘向该N型电极呈辐射状延伸，该N型电极沿着该P型电极的内侧向内呈辐射状延伸。

本发明通过特殊的电极图案设计，可以增加发光二极管的发光面积，进而提升发光二极管的发光效率。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明：

图1是本发明一较佳实施例的俯视示意图；

图2是本发明一较佳实施例的第一剖面示意图；

图3是本发明一较佳实施例的第二部剖面示意图；

图4是本发明另一较佳实施例的剖面示意图；及

图5是本发明另一较佳实施例的剖面示意图。

图中附图标记说明：

1为发光组件；      10为发光外延层；

101为第一半导体层；103为发光层；

105为第二半导体层；12为第一电极；

121为凸状结构；    122为条状结构；

123为第一分支；    125为第二分支；

14为第二电极；     141为凸状结构；

142为条状结构；    143为第一区域；

145为第二区域；    16为透明导电层；

18为基板。

具体实施方式

请参阅图1及图2，为本发明一较佳实施例的俯视示意图及本发明一较佳实施例的第一局部剖面示意图。如图所示，本实施例提供一种氮化物系半导体发光组件，图2为图1的俯视示意图中A-A’的剖面示意图，该发光组件1包含一发光外延层10、一P型电极12及一N型电极14，该发光外延层10包含一N型半导体层101、一发光层103及一P型半导体层105，该发光层103设于该N型半导体层101之上，该P型半导体层105设于该发光层103之上。该P型电极12设于该P型半导体层105之上，并与该发光层103相对。该N型电极14设于该N型半导体层101之上，并与该发光层103在该N型半导体层101的同一侧。

由该发光组件1的俯视示意图观之，该P型电极12包含二凸状结构121，该二凸状结构121设置于对称位置，并沿着该发光外延层10的边缘向该N型电极14呈辐射状延伸形成一条状结构122。于本实施例的该P型电极12为一封闭结构，而该N型电极14设于该P型电极12的内侧。该N型电极14亦包含二凸状结构141，该二凸状结构141亦设置于对称位置，并沿着该P型电极12向内呈辐射状延伸形成一条状结构142，如此该N型电极14包围出一第一区域143及一第二区域145，该第二区域145位于该第一区域143的一侧，该P型电极12包含一第一分支123及一第二分支125，该第一分支123延伸至该N型电极14包围出的该第一区域143之上，该第二分支125延伸至该N型电极14包围出的该第二区域145之上。