[发明专利]半导体发光装置有效

专利信息
申请号: 200910132049.1 申请日: 2009-04-15
公开(公告)号: CN101562178A 公开(公告)日: 2009-10-21
发明(设计)人: 辻正孝;滨田直仁 申请(专利权)人: 斯坦雷电气株式会社
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L23/528;H01L23/28
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 发光 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及搭载有多个LED芯片的表面安装型半导体发光装置,尤 其涉及实施了静电对策、可靠性高的表面安装型半导体发光装置。

背景技术

在近年来民用电子部件向薄型化、小型化的发展中,半导体发光装 置已经成为配置在相同安装基板上的电子部件中高度较高的部件。因此, 在有静电作用于半导体发光装置上时,会产生静电耐压较低的半导体发 光元件损坏的情况。

为了防止由静电产生的反向电压或规定电压以上的正向电压所引起 的损坏,采用专利文献1或专利文献2这样的对策。

专利文献1所公开的半导体发光装置搭载了齐纳二极管等保护元 件。

另外,专利文献2所公开的半导体发光装置具有在LED芯片周围释 放静电的导电图案。

【专利文献1】日本特开平11-054804号公报

【专利文献2】日本特开2001-196638号公报

然而,根据专利文献1则需要保护元件、保护元件的搭载区域以及 保护元件用的图案,而根据专利文献2则需要不同于半导体发光元件的 布线图案的、用于释放静电的导电图案。因此,无论哪种方法都存在无 法实现小型化的问题。

发明内容

本发明为了解决这样的问题,目的在于提供了一种实施了静电对策 且能够小型化的半导体发光装置。

本发明的半导体发光装置的特征在于,该半导体发光装置具有:基 板,其在上表面上搭载有第一半导体发光元件和第二半导体发光元件, 并将与所述上表面相邻的侧面中的一个侧面作为安装面;第一布线图案 和第二布线图案,其分别与第一半导体发光元件和第二半导体发光元件 电连接;以及密封树脂部,其在基板上覆盖第一布线图案和第二布线图 案的一部分、以及第一半导体发光元件和第二半导体发光元件,第一半 导体发光元件与第二半导体发光元件相比,静电耐压更高,第一布线图 案和第二布线图案形成为在电气上独立,在第一布线图案和第二布线图 案的从密封树脂部露出的部分中,第一布线图案与第二布线图案相比, 配置在离安装面更远的位置处。

另外,本发明的半导体发光装置的特征在于,该半导体发光装置具 有:基板,其在上表面上搭载有第一半导体发光元件和第二半导体发光 元件,并将与所述上表面相邻的侧面中的一个侧面作为安装面;第一布 线图案和第二布线图案,其分别与第一半导体发光元件和第二半导体发 光元件电连接,并且分别由正电极图案和负电极图案构成;以及密封树 脂部,其在基板上覆盖第一布线图案和第二布线图案的一部分、以及第 一半导体发光元件和第二半导体发光元件,第一半导体发光元件与第二 半导体发光元件相比,静电耐压更高,第一布线图案和第二布线图案形 成为,正电极图案和负电极图案中的任意一个在电气上连通,另一个电 极图案在电气上独立,在第一布线图案和第二布线图案的从密封树脂部 露出的部分中,第一布线图案的在电气上与第二布线图案独立形成的电 极图案和第二布线图案相比,配置在离安装面更远的位置处。

根据本发明的半导体发光装置,能够提供即使在由静电施加了反向 电压或规定电压以上的正向电压的情况下,也很难损坏半导体发光元件 的、可靠性高的半导体装置。

即,在由静电施加了反向电压的情况下,该反向电压会施加给与如 下布线图案连接的静电耐压较高的半导体发光元件,该布线图案与其他 布线图案相比配置在离开安装面的方向上更远、在安装状态下更高的位 置处,由此反向电压不会施加给静电耐压较低的半导体发光元件,因此 能够防止半导体发光元件损坏。可以认为,在离布线图案的安装面较远 的位置处形成的区域发挥避雷针的作用。

此外,根据本发明的半导体发光装置,不需要像以往的半导体发光 装置那样为了静电对策而设置保护元件或仅以释放静电为目的的导电图 案,因此能够在实施静电对策的状态下实现小型化。

在本发明的半导体发光装置中,半导体发光元件可以直接搭载到基 板上,也可以经由布线图案而搭载到基板上。

在本发明的半导体发光装置中,布线图案可以从基板的搭载有半导 体发光元件的一侧的面延伸设置到未搭载半导体发光元件的一侧的面 上。在该情况下,可以经由基板侧面或经由通孔而通向未搭载半导体发 光元件的一侧的面。

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