[发明专利]双扩散金属氧化物半导体晶体管有效
| 申请号： | 200910132147.5 | 申请日： | 2009-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101567387A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 大竹诚治;菊地修一;武田安弘;牧贤一 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 扩散 金属 氧化物 半导体 晶体管 | ||
1.一种DMOS晶体管，其特征在于，具备：
半导体层、
形成于所述半导体层表面的第一导电型体层、
形成于所述体层表面的第二导电型源极层、
形成于所述源极层表面的硅化物层、
把所述体层和所述源极层包围而形成为环状的栅极电极，
在所述源极层与所述栅极电极之间露出的所述体层表面不形成所述硅化物层。
2.一种DMOS晶体管，其特征在于，具备：
半导体层、
形成于所述半导体层表面的第一导电型体层、
形成于所述体层表面的第二导电型源极层、
形成于所述源极层表面的硅化物层、
把所述体层和所述源极层包围而形成为环状的栅极电极，
把所述源极层的端部配置成从所述栅极电极内侧的角部后退，在所述源极层与所述栅极电极内侧的角部之间露出的所述体层表面不形成所述硅化物层。
3.如权利要求1或2所述的DMOS晶体管，其特征在于，所述源极层与所述栅极电极内侧的角部之间露出的所述体层表面被阻止所述硅化物层形成的硅化物阻止膜所覆盖。
4.如权利要求1或2所述的DMOS晶体管，其特征在于，与从所述栅极电极内侧的角部后退的所述源极层的端部邻接地、在所述半导体层中设置第二导电型电场缓和半导体层。
5.如权利要求4所述的DMOS晶体管，其特征在于，所述栅极电极从栅极绝缘膜上向电场缓和绝缘膜上延伸，所述电场缓和绝缘膜与所述栅极绝缘膜邻接，所述电场缓和半导体层被配置在所述电场缓和绝缘膜的下方。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社，未经三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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