[发明专利]集成电路的制造方法有效
申请号: | 200910132812.0 | 申请日: | 2009-04-20 |
公开(公告)号: | CN101752268A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 邱文智;吴文进;余振华 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/48;H01L21/54;H01L21/66 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 制造 方法 | ||
1.一种集成电路的制造方法,包括:
提供一包括多个底裸片的底芯片;
将一第一顶裸片对准于该底芯片内的一第一底裸片;
在该第一顶裸片对准于该第一底裸片后,记录该第一顶裸片的一第一目标位置;
将该第一顶裸片接合至该第一底裸片上;
利用该第一目标位置计算一第二顶裸片的第二目标位置;
移动该第二顶裸片至该第二目标位置;以及
将该第二顶裸片接合至一第二底裸片上,且未进行额外的对准动作。
2.如权利要求1所述的集成电路的制造方法,还包括:
提供一包括多个裸片支架的裸片托盘;以及
将一包括该第一顶裸片及第二顶裸片的多个顶裸片放置于该裸片托盘内,其中是自该裸片托盘取起该第一顶裸片及第二顶裸片以接合至该第一底裸片及第二底裸片上。
3.如权利要求2所述的集成电路的制造方法,其中所述多个裸片支架具有斜侧边,所述斜侧边具有一第一斜角度,且其中所述多个顶裸片包括多个具有一第二斜角度的斜边,该第二斜角度大体等于该第一斜角度。
4.如权利要求3所述的集成电路的制造方法,还包括:
提供一顶芯片;
沿着多个切割道蚀刻该顶芯片的一顶表面;以及
研磨该顶芯片的一背表面以将顶芯片分开成所述多个顶裸片。
5.如权利要求2所述的集成电路的制造方法,还包括:
以该第一目标位置作基准,计算所述多个顶裸片中的剩余裸片的目标位置;以及
移动所述多个顶裸片中的剩余裸片至该底芯片上的多个所述目标位置并进行接合步骤,且未进行额外的对准动作。
6.如权利要求1所述的集成电路的制造方法,其中于移动该第二顶裸片及接合该第二顶裸片的期间,该第二顶裸片未沿着一垂直轴旋转。
7.一种集成电路的制造方法,包括:
提供一包括多个底裸片的底芯片;
将多个顶裸片放置于一裸片托盘的裸片支架内;
将该裸片托盘放置邻近于该底芯片,其中该裸片托盘的一X-轴平行于该底芯片的一X-轴;
取起一第一顶裸片,并对准于该底芯片内的一第一底裸片;
记录该第一顶裸片的坐标;
将该第一顶裸片接合至该第一底裸片上;
根据所述坐标计算一第二顶裸片所要移至的位置,其中该第二顶裸片的位置对应一位于该底芯片内的第二底裸片;以及
将该第二顶裸片接合至该第二底裸片,且未进行将该第二顶裸片对准于该第二底裸片的步骤。
8.如权利要求7所述的集成电路的制造方法,其中放置多个所述顶裸片的步骤包括:
提供一顶芯片;
沿着多个所述顶芯片的切割道蚀刻该顶芯片的一顶表面;以及
研磨该顶芯片的一背表面以将顶芯片分开成多个所述顶裸片。
9.如权利要求8所述的集成电路的制造方法,其中多个所述裸片支架具有多个斜侧边,所述多个斜侧边具有一第一斜角度,且其中多个所述顶裸片包括多个具有一第二斜角度的斜边,该第二斜角度大体等于该第一斜角度。
10.如权利要求7所述的集成电路的制造方法,还包括:
将多个所述顶裸片中的剩余裸片接合至该底芯片上;
以一填充材料填充多个位于多个所述顶裸片之间的间隙;以及
研磨该填充材料以露出多个所述顶裸片,其中自将该第一顶裸片接合至该第一底裸片上的步骤,至该研磨该填充材料的步骤,并未进行将该第二顶裸片对准于该第二底裸片的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造