[发明专利]集成电路结构的形成方法

权利要求书

1.一种集成电路结构的形成方法，包括下列步骤：

提供一半导体基底；

形成多个栅极条于该半导体基底上，其中所述多个栅极条之间具有沟 槽，且其中该集成电路结构包括一图案密集区与一图案疏离区，所述多个栅 极条于该图案密集区的图案密度大于该图案疏离区；

形成一接触蚀刻停止层，其具有第一部分直接位于所述多个栅极条上及 第二部分位于该沟槽中；

以第一内层介电层填入该沟槽中，其中该第一内层介电层具有第一上表 面，其高于所述多个栅极条的上表面；

以第一内层介电层填入该沟槽之后，立即进行第一化学机械研磨，直到 该第一内层介电层的第一上表面不高于该接触蚀刻停止层的第一部分的上 表面，其中在该图案疏离区的该第一内层介电层的该第一上表面具有一碟化 区域；

沉积第二内层介电层于该第一内层介电层、该碟化区域与所述多个栅极 条上，其中该第二内层介电层具有第二上表面，其高于所述多个栅极条的上 表面，且该第一内层介电层的第一上表面高于该第二内层介电层的第二上表 面；以及

进行第二化学机械研磨，直到露出该栅极条的上表面以及直到该栅极条 的上表面与该第二内层介电层的一第三上表面共平面。

2.如权利要求1项所述的方法，其中该第一化学机械研磨停在所述多个 栅极条的上表面或该接触蚀刻停止层的第一部分的上表面。

3.如权利要求1项所述的方法，其中该第二化学机械研磨停在所述多个 栅极条的上表面或该接触蚀刻停止层的第一部分的上表面。

4.如权利要求1项所述的方法，其中该第一化学机械研磨包括一过度化 学机械研磨，使位于该图案密集区的该第一内层介电层的第一上表面低于该 接触蚀刻停止层的第一部分的上表面，而露出该第一内层介电层中的空洞。

5.一种集成电路结构的形成方法，包括下列步骤：

提供一半导体基底；

形成一介电层于该半导体基底上；

于该介电层中形成多个开口；

毯覆性形成一扩散阻障层于该些开口中；

以第一导电材料填入所述多个开口，其中该第一导电材料具有一第一上 表面高于该介电层的上表面；

以第一导电材料填入该些开口之后，立即对该第一导电材料进行第一化 学机械研磨以露出该介电层的上表面，该扩散阻障层在第一化学机械研磨中 作为化学机械研磨停止层；

形成第二导电材料于该第一导电材料与该介电层上，其中该第二导电材 料具有第二上表面高于该介电层的上表面，且该第一导电材料的第一上表面 高于该第二导电材料的第二上表面；以及

对该第二导电材料进行第二化学机械研磨以露出该介电层的上表面。

6.如权利要求5项所述的方法，其中该第一化学机械研磨包括一过度化 学机械研磨，使该第一导电材料的上表面低于该介电层的上表面，而露出该 第一导电材料中的空洞。