[发明专利]用于磁控溅射镀膜的导电Nb2O5-x靶材及生产方法

权利要求书

1.一种导电Nb₂O_5-x靶材，其特征在于：所用的原料粉体中，Nb₂O₅的含量为90-99.7wt％，金属铌粉含量为0.3-10wt％，Nb₂O₅粉体平均粒径为0.05-50微米，金属铌粉的粒度≥200目，原料粉体的纯度大于或等于4N。

2.根据权利要求1所述的导电Nb₂O_5-x靶材，其特征在于：所述的原料粉体为Nb₂O₅与金属铌粉的充分混合粉体。

3.权利要求1所述的导电Nb₂O_5-x靶材的生产方法，其特征在于，采用以下步骤：

A.以纯度大于或等于4N、平均粒径0.5-30微米的Nb₂O₅粉作为靶材主原料，搀杂0.3-10wt％的细度大于200目的高纯金属Nb粉；

B.将以上粉体与20-50％重量的去离子纯水混和，加入0.1-0.5％的三乙醇胺作为有机助剂，用球磨机球磨混合16小时以上；

C.步骤B所得的水浆，加入0.8-1.5％聚乙烯醇作为有机粘接剂，继续球磨混合1-3小时；

D.对步骤C的产物进行喷雾干燥造粒处理，即得平均粒子径10-100微米的靶材原料；

E.将步骤D所得原料采用以下三种加工方式之一进行加工，得到相对密度大于50％的坯体：

E1.用金属模1-3吨/CM²的压力成型；

E2.冷等静压成型；

E3.凝胶注模成型；

F.将此坯体在空气炉中300-600摄氏度保温2-5小时脱除有机添加剂；

G.在氩气氛保护炉中或在真空炉中1150-1450摄氏度烧结致密，得到相对密度大于98％的陶瓷半导体靶材，即得。

4.根据权利要求3所述的导电Nb₂O_5-x靶材的生产方法，其特征在于：所述的原料粉体为Nb₂O₅与金属铌粉的充分混合粉体。