[发明专利]用于磁控溅射镀膜的导电Nb2O5-x靶材及生产方法无效

专利信息
申请号: 200910133331.1 申请日: 2009-04-02
公开(公告)号: CN101851740A 公开(公告)日: 2010-10-06
发明(设计)人: 孔伟华 申请(专利权)人: 宜兴佰伦光电材料科技有限公司
主分类号: C23C14/08 分类号: C23C14/08;C23C14/34;C04B35/622;C04B35/495
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 魏忠晖
地址: 214263*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 用于 磁控溅射 镀膜 导电 nb sub 生产 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种光电材料,具体地说,本发明是一种用于磁控溅射镀膜的导电Nb2O5-x靶材及生产方法。

背景技术

目前,Nb2O5光学薄膜是一种用途广泛的光学功能膜,在光学镜头、光纤光缆、眼镜镀膜、光数据存储、建筑玻璃镀膜、高温介质膜、激光装置滤光片、保护膜、分光膜、高反射膜、绝缘膜、热反射膜、冷光膜等等领域和产品上,都有应用。目前普遍采用以Nb2O5材料为靶源真空蒸发工艺制造,由于Nb2O5材料本身为电的不良导体,不能用更高生产效率的直流磁控溅射法镀膜,因而需要对其进行改进。

发明内容

本发明的发明目的是提供一种用于磁控溅射镀膜的导电Nb2O5-x靶材。

本发明的另一目的是提供一种用于磁控溅射镀膜的导电Nb2O5-x靶材的生产方法。

为了实现上述的发明目的,本发明采用以下技术方案:

一种导电Nb2O5-x靶材,其所用的原料粉体中,Nb2O5的含量为90-99.7wt%,金属铌粉含量为0.3-10wt%,Nb2O5粉体平均粒径为0.05-50微米,金属铌粉的粒度≥200目,原料粉体的纯度大于或等于4N。

所述的原料粉体为Nb2O5与金属铌粉的充分混合粉体。

上述的导电Nb2O5-x靶材的生产方法,可以采用以下步骤:

A.以纯度大于或等于4N、平均粒径0.5-30微米的Nb2O5粉作为靶材主原料,搀杂0.3-10wt%的细度大于200目的高纯金属Nb粉;

B.将以上粉体与20-50%重量的去离子纯水混和,加入0.1-0.5%的三乙醇胺作为有机助剂,用球磨机球磨混合16小时以上;

C.步骤B所得的水浆,加入0.8-1.5%聚乙烯醇作为有机粘接剂,继续球磨混合1-3小时;

D.对步骤C的产物进行喷雾干燥造粒处理,即得平均粒子径10-100微米的靶材原料;

E.将步骤D所得原料采用以下三种加工方式之一进行加工,得到相对密度大于50%的坯体:

E1.用金属模1-3吨/CM2的压力成型;

E2.冷等静压成型;

E3.凝胶注模成型;

F.将此坯体在空气炉中300-600摄氏度保温2-5小时脱除有机添加剂;

G.在氩气氛保护炉中或在真空炉中1150-1450摄氏度烧结致密,得到相对密度大于98%的陶瓷半导体靶材,即得。

所得材料导电性能良好,加工磨削到所需尺寸,即可用于磁控溅射制造Nb2O5光学功能薄膜。

本发明具有以下的优点:

本发明制造了一种导电性能良好的Nb2O5-x靶材,体电阻率≤4×10-2Ω.cm,可用于直流磁控溅射制造氧化铌功能薄膜。本发明使得用磁控溅射生产氧化铌系列光学功能膜成为可能,制造大面积氧化铌系列光学功能膜时的膜层均匀度得以保证,生产过程更易控制,生产效率比以前用常规不良导电体Nb2O5为靶源的真空蒸发镀膜工艺提高30-50%。

具体实施方式

实施例1

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