[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

基板；

电熔丝，包括：

下层互连，形成在所述基板上；

通孔，提供在所述下层互连上，以便连接到所述下层互连； 以及

上层互连，提供在所述通孔上，以便连接到所述通孔，

在切断之后的状态中，所述电熔丝由于已经形成了流出部而被切 断，其中所述流出部是在形成所述上层互连的电导体流到所述上层互 连的外部时形成的；以及

导电吸热构件，形成在至少与所述上层互连相同的层中，用于吸 收在所述上层互连中产生的热。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述电熔丝包括在所 述下层互连和所述通孔之间以及在所述通孔中之一形成的切断点。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中在包括在其中形成的 所述上层互连的层中，所述上层互连和所述导电吸热构件之间的距离 等于或小于所述通孔的通孔直径的六倍。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中在包括在其中形成的 所述上层互连的层中，所述上层互连和所述导电吸热构件之间的距离 等于或小于所述通孔的通孔直径的四倍。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

所述导电吸热构件还提供在包括在其中形成的所述通孔的层以及 包括在其中形成的所述下层互连的层的每一个中，以便穿过包括在其 中形成的所述下层互连形的层、包括在其中形成的所述通孔的层以及 包括在其中形成的所述上层互连的层而连续形成；以及

所述上层互连与包括在其中形成的所述上层互连的层中形成的导 电吸热构件之间的距离比所述下层互连与包括在其中形成的所述下层 互连的层中形成的导电吸热构件之间的距离窄。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述流出部形成在所 述上层互连上。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述导电吸热构件被 形成为吸收在所述上层互连中产生的热，以防止形成所述上层互连的 电导体流到所述上层互连下方。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述电熔丝的所述上 层互连具有比所述电熔丝的所述下层互连更大的体积。