[发明专利]半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体装置，更具体地，涉及一种包括电熔丝的 半导体装置。

背景技术

传统地，已知一种技术，其中熔丝被安装到半导体装置上，例如， 由此切断电熔丝来调节半导体装置中使用的电阻器的值，或者分离缺 陷元件并用正常元件代替缺陷元件。

作为切断熔丝的方法，利用通过用激光束照射部分熔丝来切断熔 丝的系统，可以利用通过施加电流来切断熔丝的系统。

JP 2005-39220A、JP 2005-57186A和JP 2006-253237A中的每个 公开了一种电熔丝，其中利用通过电迁移使形成熔丝的材料迁移的现 象来切断电熔丝。

JP 2005-39220A公开了能够用较小的电流切断的熔丝。在JP 2005-39220A中，形成熔丝的电导体形成为电导体向后折叠几次的形 状。此外，JP 2005-57186A描述了一种结构，其中用板覆盖熔丝熔化 部分的上部和下部，并且用通孔插塞覆盖其侧面部分。

JP 2006-253237A描述了一种熔丝元件，包括：第一互连，在第一 互连上方形成的绝缘膜，在绝缘膜上方形成的第二互连，以及在绝缘 膜中形成以便连接第一互连和第二互连的第一通孔。在这种情况下， 与第一互连和第二互连的主要部分相比，第一通孔的主要部分由更容 易导致电迁移的材料形成。JP 2006-253237A还描述了一种结构，其 中用于加热通孔的加热器布线提供在通孔的周围。因而，期望在切断 通孔时可以升高通孔周围的温度，由此可有效率地切断通孔。

本发明人已经认识到如下事实。如JP 2005-39220A、JP 2005-57186A和JP 2006-253237A所述，在利用通过电迁移使形成熔丝 的材料迁移的现象来切断熔丝的情况下，例如，在切断熔丝之后在半 导体装置上进行热处理，或者半导体装置自身暴露于其实际使用中产 生的热中，由此使得材料迁移。因此，可能会在切断点处发生再连接。 如果发生了如上所述的再连接，即使在提前切断要被切断的电熔丝时， 在检测电熔丝是否被切断的情况下也不能获得正确的结果。很少担心 会产生如上所述的再连接，并因而认为在正常操作期间不会产生问题。 然而，例如，在半导体装置需要非常高度的可靠性或者在极端条件下 使用半导体装置的情况下，需要进一步增强切断的电熔丝保持切断后 状态的保持特性。

如JP 2007-305693A(参考号：74120620，日本专利申请 No.2008-104277，以及申请日：2008年4月14日)所述的，为了解决 上面提到的问题，近年来，提出了一种切断电熔丝的新方法，其称为 裂缝辅助型工艺。在该方法中，例如，控制电熔丝的结构和用于电熔 丝的电压施加方法，由此在切断电熔丝时，形成电熔丝的一部分电导 体被强制流到电熔丝的外部，即，流入在电导体周围上提供的绝缘膜 中。然后，扰乱材料迁移与供应之间的平衡，由此在其他部分形成具 有较大空隙的切断点。结果，可以显著降低切断的电熔丝会再连接的 担心，并因而可以保持切断后的良好状态。

然而，在利用上面提到的方法切断的电熔丝中增加了电导体的流 动量，并因此必须控制电导体的流动部和流动电导体的迁移。

发明内容

根据本发明，提供一种半导体装置，包括：

基板；

电熔丝，包括：

下层互连，形成在基板上；

通孔，提供在下层互连上以便连接到下层互连；以及

上层互连，提供在通孔上以便连接到通孔，

通过形成流出部，电熔丝被切断，在切断之后的状态中，在形成 上层互连的电导体流到上层互连的外部时形成流出部；以及

导电吸热构件，至少在与上层互连相同的层中形成，用于吸收在 上层互连中产生的热。

注意，根据本发明的电熔丝可以根据下面的过程切断。