[发明专利]一种宽频高阻抗MnZn铁氧体材料及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种MnZn铁氧体材料及其制造方法，尤其涉及一种宽频高阻抗MnZn铁氧体材料及其制造方法。

背景技术

在电子信息时代，随着卫星通信、移动通信、计算机应用等的高速发展，电磁干扰(EMI)对军事和民用电子信息领域的影响越来越严重，对公共环境和人身安全以及信息保密造成了很大的危害。解决或降低电磁污染以及提高电子设备抗电磁干扰能力的有效办法是采用电磁兼容设计，其中需要用到大量抗EMI材料。常用的抗EMI材料有MnZn铁氧体和NiZn铁氧体材料。由于电子设备的小型化、高频化的发展，迫切希望在高频也有高磁导率的材料，一般MnZn铁氧体均采用过铁配方，即富铁MnZn铁氧体，且又在还原气氛中烧结冷却，故尖晶石结构中有较多的Fe²⁺存在，Fe²⁺～Fe³⁺间的电子迁移使得电阻率急剧降低，很难适应3MHz以上频率的使用。NiZn铁氧体有多空性及高电阻率(通常可达10⁴Ω·m以上)，且在一定的配方与工艺条件下可以使材料避免畴壁位移弛豫与共振，适用于作高频软磁材料，但由于NiZn铁氧体磁导率很难做的高，其低频阻抗较低。

富铁MnZn铁氧体和NiZn铁氧体材料在应用频率上都有局限，而MnZn铁氧体如果采用缺铁配方，即主配方中Fe₂O₃摩尔百分含量不超过50％的贫铁MnZn铁氧体，就有可能抑制Fe²⁺的生成，从而提高电阻率，并且在3MHz以上频率有高的磁导率，使得使用频率得到很大提高。近来，对贫铁MnZn铁氧体的研究进展较慢，已经制造出来的这类材料也存在居里温度较低的缺陷，因而实用价值低。因此需要一种具有宽频高阻抗、高电阻率、居里温度足够高的可适用的贫铁MnZn铁氧体的抗EMI材料以及还需要制造这种材料的方法。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种宽频高阻抗MnZn铁氧体材料，所述铁氧体材料包括主成份和辅助成分，所述主成分为47mol％-50mol％的Fe₂O₃、以MnO计29mol％-35mol％的Mn₃O₄和16mol％-21mol％的ZnO；以及所述辅助成分选自SiO₂、CaCO₃、V₂O₅、Nb₂O₅中的至少一种，基于所述主成分的总重量，SiO₂为0.002wt％-0.01wt％、CaCO₃为0.01wt％-0.08wt％、V₂O₅为0.01wt％-0.07wt％、Nb₂O₅为0.01wt％-0.07wt％。

本发明的宽频高阻抗MnZn铁氧体材料中的辅助成分还可以选自SiO₂、CaCO₃、V₂O₅、Nb₂O₅中的至少两种。

本发明提供的铁氧体材料还掺杂Co₂O₃、SnO₂，基于所述主成分的总重量，掺杂的Co₂O₃为0.01wt％-0.5wt％、SnO₂为0.03wt％-0.5wt％。

本发明的铁氧体材料具有大于10³Ω·m的直流电阻率、大于115℃的居里温度和2000±20％的起始磁导率。