[发明专利]垂直磁记录介质和使用其的磁存储器

权利要求书

1.一种垂直磁记录介质，包括基板，该基板上至少顺序具有软磁层、非磁中间层、垂直记录层和保护层，其中所述垂直记录层由三层构成，所述三层从靠近所述基板一侧起包括第一记录层、第二记录层和第三记录层，所述第一记录层和所述第二记录层具有颗粒结构，其包括围绕包含Co和Pt的铁磁晶粒的氧化物晶粒边界，所述第三记录层具有非颗粒结构，主要包括Co且不包含氧化物，所述第一记录层的晶粒边界含有Si，Cr和氧以及选自Ti、Ta和Nb中的至少一种元素，所述第二记录层的晶粒边界包含Cr和氧，或者包含Cr和氧以及选自Si、W和V中的至少一种元素。

2.如权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中所述第二记录层的厚度为0.2nm或更大且5nm或更小。

3.如权利要求1或2所述的垂直磁记录介质，其中所述第一记录层中包含的Cr的浓度超过4at.％且小于14at.％。

4.如权利要求1或2所述的垂直磁记录介质，其中所述第二记录层包含的氧化物的浓度超过10vol.％且低于30vol.％。

5.如权利要求3所述的垂直磁记录介质，其中所述第二记录层包含的氧化物的浓度超过10vol.％且低于30vol.％。

6.一种磁存储器，包括：

磁记录介质；用于沿记录方向驱动所述磁记录介质的装置；磁头，配置有记录部件和再现部件；用于相对于所述磁记录介质驱动所述磁头的装置；以及信号处理装置，用于磁头的输入信号和输出信号的波形处理，

其中所述磁记录介质是包括基板的垂直磁记录介质，在所述基板上至少顺序具有软磁层、非磁中间层、垂直记录层和保护层，所述垂直记录层由三层构成，所述三层从靠近所述基板一侧起包括第一记录层、第二记录层和第三记录层，所述第一记录层和所述第二记录层具有颗粒结构，其包括围绕包含Co和Pt的铁磁晶粒的氧化物晶粒边界，所述第三记录层具有非颗粒结构，主要包括Co且不包含氧化物，所述第一记录层的晶粒边界含有Si，Cr和氧以及选自Ti、Ta和Nb中的至少一种元素，所述第二记录层的晶粒边界包含Cr和氧，或者包含Cr和氧以及选自Si、W和V中的至少一种元素。