[发明专利]晶圆的支撑治具与研磨、输送及切割晶圆的方法有效
申请号: | 200910134091.7 | 申请日: | 2009-04-01 |
公开(公告)号: | CN101850538A | 公开(公告)日: | 2010-10-06 |
发明(设计)人: | 鲍治民 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | B24B37/04 | 分类号: | B24B37/04;B24B29/02;B24B7/22;B28D5/00;H01L21/304;H01L21/677;H01L21/78;H01L21/683 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 支撑 研磨 输送 切割 方法 | ||
1.一种研磨晶圆的方法,其特征在于:包含下列步骤:
提供一晶圆,其具有一有源表面及一背表面;
提供一研磨胶带及一中空外框,其中所述研磨胶带包含一边缘部份、一连接部分及一中央部份,所述连接部分是位于所述边缘部份与所述中央部份之间;
将所述研磨胶带的中央部份贴附于所述晶圆的有源表面,并将所述研磨胶带的边缘部份贴附于所述中空外框上;
将所述研磨胶带的连接部份穿入一大尺寸环体与一小尺寸环体之间,其中所述小尺寸环体是配置于所述大尺寸环体内;
将所述研磨胶带的中央部份及所述中空外框固定于一托架上;以及将所述晶圆的背表面研磨。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:通过将所述大尺寸环体与所述小尺寸环体分别朝下方向与朝上方向压迫所述研磨胶带而使所述小尺寸环体配置于所述大尺寸环体内,从而将所述研磨胶带的连接部份穿入所述大尺寸环体与所述小尺寸环体之间。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于:所述晶圆的背表面与中空外框之间具有一预定距离。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于:所述预定距离不小于所述大尺寸环体的厚度或所述小尺寸环体的厚度。
5.一种输送晶圆的方法,其特征在于:包含下列步骤:
提供一晶圆,其具有一有源表面及一背表面;
提供于一研磨胶带及一中空外框,其中所述研磨胶带包含一边缘部份、一连接部分及一中央部份,所述连接部分是位于所述边缘部份与所述中央部份之间;
将所述研磨胶带的中央部份贴附于所述晶圆的有源表面,并将所述研磨胶带的边缘部份贴附于所述中空外框上;
将所述中空外框固定于一托架上;以及
将所述晶圆由一第一位置输送至一第二位置。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于:所述的方法另包含下列步骤:将所述研磨胶带的连接部份穿入一大尺寸环体与一小尺寸环体之间,其中所述小尺寸环体是配置于所述大尺寸环体内。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于:通过将所述大尺寸环体与所述小尺寸环体分别朝下方向与朝上方向压迫所述研磨胶带而使所述小尺寸环体配置于所述大尺寸环体内,从而将所述研磨胶带的连接部份穿入所述大尺寸环体与所述小尺寸环体之间。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于:所述晶圆的背表面与中空外框之间具有一预定距离。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于:所述预定距离不小于所述大尺寸环体的厚度或所述小尺寸环体的厚度。
10.一种切割晶圆的方法,其特征在于:包含下列步骤:
提供一晶圆,其具有一有源表面、一背表面及多个纵向及横向的切割道,其中所述切割道是位于所述有源表面上,藉以界定出多个晶粒;
提供一研磨胶带及一中空外框,其中所述研磨胶带包含一边缘部份、一连接部分及一中央部份,所述连接部分是位于所述边缘部份与所述中央部份之间;
将所述研磨胶带的中央部份贴附于所述晶圆的有源表面,并将所述研磨胶带的边缘部份贴附于所述中空外框上;
将所述研磨胶带的连接部份穿入一大尺寸环体与一小尺寸环体之间,其中所述小尺寸环体是配置于所述大尺寸环体内;
通过一第一真空吸力,将所述研磨胶带的中央部份及所述中空外框固定于一托架上;
将所述晶圆的背表面研磨;
通过释放所述第一真空吸力,解除所述研磨胶带的中央部份及所述中空外框在所述托架上的固定;
通过一第二真空吸力,将所述中空外框固定于所述托架上;
将所述晶圆输送;
将所述大尺寸环体与所述小尺寸环体移除;
将一切割胶带贴附于研磨后的所述晶圆的背表面上;
将所述研磨胶带自所述晶圆的有源表面上移除;以及
沿所述切割道切割所述晶圆,用以分离所述晶粒。
11.如权利要求10所述的方法,其特征在于:通过将所述大尺寸环体与所述小尺寸环体分别朝下方向与朝上方向压迫所述研磨胶带而使所述大尺寸环体配置于所述小尺寸环体内,从而将所述研磨胶带的连接部份穿入所述大尺寸环体与所述小尺寸环体之间。
12.如权利要求11所述的方法,其特征在于:所述晶圆的背表面与中空外框之间具有一预定距离。
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