[发明专利]晶圆的支撑治具与研磨、输送及切割晶圆的方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及一种研磨、输送及切割晶圆的方法，更特别涉及一种研磨晶圆的方法，研磨时可利用中空外框辅助研磨胶带固定所述晶圆。

【背景技术】

在半导体封装制造方法中，通常是先将晶圆切割成一颗颗的晶粒(die)12，再将这些晶粒做成各具功能的半导体封装构造。图1至5显示现有切割8时晶圆的方法。参照图1，提供一晶圆10，其具有一有源表面16及一背表面14。将一研磨胶带20贴附于所述晶圆10的有源表面16上。参照图2，通过机械研磨装置50将所述晶圆10的背表面14研磨(grinding)。参照图3，将一切割胶带(Dicing Tape)40粘贴于研磨后的所述晶圆10的背表面14上。参照图4，将所述研磨胶带20自所述晶圆10的有源表面16上移除，并通过所述切割胶带40将所述晶圆10固定于晶圆架18上。参照图5，以一分割机器的切割刀60沿切割道31切割晶圆10，用以分离晶粒12。

然而，就现有切割8时晶圆的方法而言，研磨后的薄晶圆的厚度通常小于4密尔(mils)。由于研磨后的薄晶圆会产生翘曲且输送时并无任何工具支撑薄晶圆，因此研磨后的薄晶圆可能会发生晶圆破裂(Wafer Break)。

虽然现有切割12时晶圆的方法利用研磨步骤、晶圆固定步骤及胶带移除步骤整合于单一机台内完成(In Line Module)，但是仍无法避免研磨后的薄晶圆可能会发生晶圆破裂。

因此，有必要提供一种研磨、输送及切割晶圆的方法，以解决现有技术所存在的问题。

【发明内容】

本发明的主要目的是提供一种研磨晶圆的方法，研磨时可利用所述中空外框辅助所述研磨胶带固定所述晶圆，因此研磨时的晶圆可得到优选的固定。

本发明的另一目的是提供一种输送晶圆的方法，输送时可利用中空外框及研磨胶带支撑研磨后的薄晶圆，因此研磨后的薄晶圆不会发生晶圆破裂。

为达上述目的，本发明提供一种研磨晶圆的方法，其包含下列步骤：提供一晶圆，其具有一有源表面及一背表面；提供一研磨胶带及一中空外框，其中所述研磨胶带包含一边缘部份、一连接部分及一中央部份，所述连接部分是位于所述边缘部份与所述中央部份之间；将所述研磨胶带的中央部份贴附于所述晶圆的有源表面，并将所述研磨胶带的边缘部份贴附于所述中空外框上；将所述研磨胶带的连接部份穿入一大尺寸环体与一小尺寸环体之间，其中所述小尺寸环体是配置于所述大尺寸环体内；将所述研磨胶带的中央部份及所述中空外框固定于一托架上；以及将所述晶圆的背表面研磨。

相较于现有切割晶圆的方法，本发明由于的所述晶圆的背表面与所述中空外框之间具有预定距离，因此研磨所述晶圆的背表面时不会研磨到所述中空外框。再者，本发明由于研磨时可利用所述中空外框辅助所述研磨胶带固定所述晶圆，因此研磨时的晶圆可得到优选的固定。

【附图说明】

图1至5：现有技术的切割晶圆的方法的立体示意图。

图6：本发明的一实施例的切割晶圆的方法的流程图。

图7、8a、8b、9a、9b及10至17图为本发明的一实施例的切割晶圆的方法的立体或剖面示意图。

【具体实施方式】

为让本发明上述目的、特征及优点更明显易懂，下文特举本发明较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下：

参照图6，其显示本发明的一实施例的切割晶圆的方法。参照图7a及7b，在步骤102中，提供一晶圆210(例如8时或12时晶圆)，其具有一有源表面216、一背表面214及多个纵向及横向的切割道231，其中所述背表面214是相对于所述有源表面216，且所述切割道231是位于所述有源表面216上，藉以界定出多个晶粒212。所述晶圆210的有源表面216上是设有集成电路(Integrated Circuit；IC)(图未示)。

参照图8a及8b，在步骤104中，提供一研磨胶带220及一中空外框230，其中所述研磨胶带220包含一边缘部份222、一连接部分224及一中央部份226，所述连接部分224是位于所述边缘部份222与所述中央部份226之间。在步骤106中，将所述研磨胶带220的中央部份226贴附于所述晶圆210的有源表面216，并将所述研磨胶带220的边缘部份222贴附于所述中空外框230上。