[发明专利]半导体制造设备的清洁方法及装置

权利要求书

1.一种半导体制造设备的清洁方法，包括：

将一半导体制造设备置于一腔室中；

导入一超临界流体至该腔室中；

以该超临界流体接触该半导体制造设备来清洁该半导体制造设备：

自该腔室中移去该超临界流体；以及

自该腔室中移去该半导体制造设备。

2.如权利要求1所述的半导体制造设备的清洁方法，其中该半导体制造设备为一晶片载具、前开式晶片盒、晶舟盒、光掩模载具、晶片盒、光掩模储存盒、前开式储存箱、转盘组件或通用群集箱。

3.如权利要求1所述的半导体制造设备的清洁方法，其中该超临界流体择自由下列组成的组：二氧化碳、氮气、氩气、氙气、氦气、氪气、甲烷、乙烷、丙烷、戊烷、乙烯、甲醇、乙醇、异丙醇、异丁醇、环己醇、氨气、一氧化二氮、氧气、六氟化硅、氟甲烷、一氯三氟甲烷、水及前述的组合。

4.如权利要求1所述的半导体制造设备的清洁方法，其中该清洁方法为在约500psi至5000psi的气压下且在约0℃至100℃的温度下进行。

5.如权利要求1所述的半导体制造设备的清洁方法，还包含导入一助溶剂(至该腔室中的该超临界流体。

6.如权利要求1所述的半导体制造设备的清洁方法，还包含对该腔室减压。

7.如权利要求1所述的半导体制造设备的清洁方法，其中该半导体制造设备上具有一废物层，且清洁该半导体制造设备的方法包含移除位于该半导体制造设备上的该废物层。

8.一种半导体制造设备的清洁方法，包括：

将该半导体制造设备置于一腔室中；

导入一流体至该腔室；

控制该流体的压力及温度使该流体到达超临界状态；

通过该超临界流体接触该半导体制造设备来清洁该半导体制造设备：

自该腔室中移去该超临界流体；以及

自该腔室中移去该半导体制造设备。

9.如权利要求8所述的半导体制造设备的清洁方法，其中该半导体制造设备为一晶片载具、前开式晶片盒、晶舟盒、光掩模载具、晶片盒、光掩模储存盒、前开式储存箱、转盘组件或通用群集箱。

10.如权利要求8所述的半导体制造设备的清洁方法，其中该超临界流体择自由下列组成的组：二氧化碳、氮气、氩气、氙气、氦气、氪气、甲烷、乙烷、丙烷、戊烷、乙烯、甲醇、乙醇、异丙醇、异丁醇、环己醇、氨气、一氧化二氮、氧气、六氟化硅、氟甲烷、一氯三氟甲烷、水及前述的组合。

11.如权利要求8所述的半导体制造设备的清洁方法，其中该清洁方法为在约500psi至5000psi的气压下且约0℃至100℃的温度下进行。

12.如权利要求8所述的半导体制造设备的清洁方法，还包含导入一助溶剂至该腔室中的该超临界流体。

13.如权利要求8所述的半导体制造设备的清洁方法，其中该半导体制造设备上具有一废物层，且清洁该半导体制造设备的方法包含移除位于该半导体制造设备上的该废物层。

14.一种半导体制造设备的清洁装置，包括：

一流体供应来源；

一连接至该流体供应来源的腔室，该半导体制造设备置于该腔室中，其中该腔室用于接收从流体供应来源流进的一流体，用以清洁该半导体制造设备；

一温度及压力控制系统，用以使该流体进入超临界状态；以及

一连接至该腔室的储存槽，该储存槽用于收集由该腔室流出的污染的超临界流体。

15.如权利要求14所述的半导体制造设备的清洁装置，其中该半导体制造设备为一晶片载具、前开式晶片盒、晶舟盒、光掩模载具、晶片盒、光掩模储存盒、前开式储存箱、转盘组件或通用群集箱。