[发明专利]半导体制造设备的清洁方法及装置

说明书

技术领域

本发明涉及从半导体制造设备中移除杂质的方法及装置，且特别涉及以超临界流体移除半导体制造设备中的杂质的方法及装置。

背景技术

半导体制造设备，例如前开式晶片盒(wafer FOUP)、晶片盒(PODs)、晶片载具(wafer carriers)、光掩模载具(reticle carriers)等，皆经常使用在各种工艺中，处理及制造各种半导体装置。半导体装置产生的污染物经常会污染这些设备。例如，像是光致抗蚀剂及高分子残余物通常会污染前开式晶片盒(wafe FOUP)及晶片盒(PODs)的夹缝，除非将这些污染物完全移除，否则这些污染物仍会交互污染其他的半导体装置，即会影响到半导体装置效能及降低良率。目前，已发展各种湿式(例如去离子水及溶液)及干式(例如等离子体)的清洁工艺用于消除各式各样的污染物。然而，随着半导体产业转进更大的晶片尺寸，例如18英寸的晶片，在前开式晶片盒(waferFOUP)中的夹缝数量及夹缝区域也随之剧增以承载450mm的晶片。现有用于清洁半导体制造设备的方法并不足以有效彻底清洁这些设备。例如前开式晶片盒为封闭式的设计，如使用传统的润洗方法非常难以清洁。而且，这些设备通常相当巨大、昂贵及复杂，必须使用多种不同形态清洁容器及进行连续不断地的清洁，其需消耗相当可观的清洁流体，也表示需要耗费许多成本以清洁这些设备。

发明内容

根据上述及其他在下列会详述的理由，本发明提供一种改良方法来清洁这些半导体制造设备，以改善使用传统清洁方法的缺点。

本发明提供一种半导体制造设备的清洁方法，包括：将一半导体制造设备置于一腔室中；导入一超临界流体至该腔室中；以该超临界流体接触该半导体制造设备来清洁该半导体制造设备；自该腔室中移去该超临界流体；以及自该腔室中移去该半导体制造设备。

本发明也提供一种一半导体制造设备的清洁方法，包括：将该半导体制造设备置于一腔室中；导入一流体至该腔室；控制该流体的压力及温度使该流体到达超临界状态；通过该超临界流体接触该半导体制造设备来清洁该半导体制造设备：自该腔室中移去该超临界流体；以及自该腔室中移去该半导体制造设备。

本发明更提供一种半导体制造设备的清洁装置，包括：一流体供应来源；一连接至该流体供应来源的腔室，该半导体制造设备置于该腔室中，其中该腔室用于接收从流体供应来源流进的一流体，用以清洁该半导体制造设备；一温度及压力控制系统，用以使该流体进入超临界状态；以及一连接至该腔室的储存槽，该储存槽用于收集由该腔室流出的污染的超临界流体。

本发明在清洗半导体设备时不但清洗效率高，而且清洗设备使用方便，成本较低。

为让本发明的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。

附图说明

图1为一实施例的半导体制造设备的清洁装置剖面图。

图2为一实施例的半导体制造设备的清洁流程图。

上述附图中的附图标记说明如下：

100～半导体制造设备的清洁装置

110～反应腔室

115～半导体制造设备

120～加热单元            125～液体供应来源

130～泵                  135～液体供应管路

140～废物回收管路        145～储存槽

150～冷却单元

具体实施方式

本发明提供以超临界流体来清洁半导体制造设备的方法及装置。这些超临界流体包括，但不限于：二氧化碳、氙气、氩气、氦气、氪气、氮气、甲烷、乙烷、丙烷、戊烷、乙烯、甲醇、乙醇、异丙醇、异丁醇、环己醇、氨气、一氧化二氮(nitrous oxide)、氧气、六氟化硅、氟甲烷(methyl fluoride)、一氯三氟甲烷(chlorotrifluoromethane)、水或前述的组合。