[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1、一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

栅极；

有源层，与栅极叠置并具有接触区域和比所述接触区域厚的剩余区域；

源极和漏极，与接触区域接触。

2、如权利要求1所述薄膜晶体管，其中，接触区域的厚度为剩余区域的厚度的10％到90％。

3、如权利要求1所述薄膜晶体管，其中，有源层包含氧化物半导体。

4、如权利要求3所述薄膜晶体管，其中，有源层包含具有低于10¹⁸/cm³的电子载流子密度的非晶氧化物。

5、如权利要求4所述薄膜晶体管，其中，非晶氧化物包含从由下述氧化物组成的组中选择的至少一种，所述氧化物包括：包含In、Zn和Sn的氧化物；包含In、Zn和Ga的氧化物；或包含由从Li、Na、Mn、Ni、Pd、Cu、Cd、C、N、P、Ti、Zr、Hf、V、Ru、Ge、Sn和F组成的组中选择的至少一种的氧化物。

6、如权利要求1所述薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管具有底栅结构。

7、如权利要求6所述薄膜晶体管，其中，源极和漏极与有源层的接触区域直接接触。

8、如权利要求1所述薄膜晶体管，所述薄膜晶体管还包括设置在剩余区域上的蚀刻停止层。

9、如权利要求1所述薄膜晶体管，所述薄膜晶体管还包括形成在有源层下面的界面稳定层，所述界面稳定层包含带隙与有源层的带隙相等或带隙大于有源层的带隙的氧化物。

10、一种制造薄膜晶体管的方法，包括如下步骤

在基板上形成栅极；

在栅极上形成栅绝缘层；

在栅绝缘层上形成有源层；

将有源层图案化，以在有源层中形成接触区域，接触区域比有源层的剩余区域薄；

在接触区域上形成源极和漏极。

11、如权利要求10所述的方法，其中：

有源层包含氧化物半导体；

将有源层图案化的步骤包括利用半色调掩膜。

12、如权利要求10所述的方法，所述方法还包括：在将有源层图案化的步骤之前，在剩余区域上形成蚀刻停止层。

13、如权利要求12所述的方法，其中：

形成有源层的步骤包括将有源层形成为具有均匀的厚度；

将有源层图案化的步骤包括过蚀刻所述蚀刻停止层以形成接触区域。

14、如权利要求10所述的方法，其中，将有源层图案化的步骤包括将接触区域的厚度相对剩余区域的厚度减小10％到90％。

15、如权利要求10所述的方法，所述方法还包括：在形成有源层的步骤之前，形成界面稳定层，所述界面稳定层包含带隙与有源层的带隙相等或带隙大于有源层的带隙的氧化物。

16、如权利要求15所述的方法，其中，形成界面稳定层的步骤包括使用物理沉积方法。