[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

说明书

本申请要求于2008年8月21日在韩国知识产权局提交的第2008-81772号韩国专利申请的权益，其公开通过引用包含于此。

技术领域

本发明的各方面涉及一种薄膜晶体管及其制造方法。

背景技术

当前，薄膜晶体管(TFT)被广泛地用作控制诸如有机发光显示器(OLED)或液晶显示器(LCD)的显示装置中的像素的操作的开关器件和驱动电路。因此，当前正展开着改善TFT的特性的研究。

通过有源层与TFT的源极及有源层与TFT的漏极之间的接触产生的接触电阻会降低TFT的性能。高接触电阻会降低由TFT的电荷注入单元产生的功率。

发明内容

本发明的各方面提供了一种薄膜晶体管(TFT)及其制造方法，所述薄膜晶体管具有被减小了的电极和有源层之间的接触电阻。

根据本发明的各方面，提供了一种薄膜晶体管(TFT)，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极。有源层包括与源极和漏极接触的接触区域和除了接触区域以外的剩余区域。接触区域比剩余区域薄。

根据本发明的各方面，接触区域的厚度可以为剩余区域的厚度的10％到90％。

根据本发明的各方面，有源层可以包含氧化物半导体。

根据本发明的各方面，TFT可以具有底栅结构。源极和漏极可以直接接触有源层的接触区域。

根据本发明的各方面，TFT还可以包括形成在有源层的剩余区域上的蚀刻停止层。

根据本发明的各方面，TFT还可以包括形成在有源层下的界面稳定层。所述界面稳定层可以包含带隙与有源层的带隙相等或带隙大于有源层的带隙的氧化物。

根据本发明的各方面，提供了一种TFT的制造方法。所述方法包括如下步骤：在基板上形成栅极；在所述栅极上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成有源层；在所述有源层的接触区域上形成源极和漏极。通过将有源层图案化来形成接触区域，使得接触区域比有源层的剩余区域薄。

根据本发明的各方面，形成有源层的步骤可以包括在栅绝缘层上形成氧化物半导体层，并利用半色调掩膜将氧化物半导体层图案化以形成具有接触区域的有源层。

根据本发明的各方面，在形成源极和漏极之前可以在有源层的剩余区域上形成蚀刻停止层。最初，有源层可以形成为具有均匀的厚度，将蚀刻停止层图案化的步骤可以包括过蚀刻工艺，过蚀刻工艺形成接触区域。

根据本发明的各方面，所述制造方法还可以包括在栅绝缘层上形成界面稳定层，然后在界面稳定层上形成有源层。所述界面稳定层可以包含带隙与有源层的带隙相等或带隙大于有源层的带隙的氧化物。

根据本发明的各方面，接触区域的厚度比剩余区域的厚度薄。因此，减小了源极和漏极与有源层之间的接触电阻，从而得到具有改善的性能的TFT。

根据本发明的各方面，有源层包含氧化物半导体，这改善了TFT的特性。

本发明的另外的方面和/或优点将部分地在下面的描述中阐明，将部分地从描述中明显看出，或可以从通过本发明的实践学到。

附图说明

从下面结合附图对示例性实施例的描述中，本发明的这些和/或其它方面和优点将变得明显且更容易理解，在附图中：

图1是示出根据本发明示例性实施例的薄膜晶体管(TFT)的剖面图；

图2A到图2C是顺序示出图1中的TFT的制造方法的剖面图；

图3是示出根据本发明另一示例性实施例的TFT的剖面图；

图4A到图4E是顺序示出图3中的TFT的制造方法的剖面图；

图5A和图5B是示出根据本发明又一示例性实施例的TFT的剖面图；

图6是示出传统TFT和示例性TFT的有源层的电阻R_T根据长度L的曲线图；

图7是示出传统TFT和示例性TFT的漏电流Id根据栅电压Vg的曲线图。

具体实施方式

在下面的具体描述中，通过示例的方式仅示出并描述了本发明的某些示例性实施例。如本领域技术人员会意识到的，在全部不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式修改所描述的示例性实施例。因此，附图和描述应被认为本质上是说明性而非限定性的。此外，当元件被称作在另一元件“上”时，该元件可以直接在另一元件上，或者可以在它们之间设置有一个或多个中间元件。当元件被称作“连接到”另一元件时，该元件可以直接连接到另一元件，或者也可以在它们之间设置有一个或多个中间元件的情况下间接连接到另一元件。这里，相同的标号始终表示相同的元件。以下，将参照附图来描述本发明的示例性实施例。