[发明专利]发光器件、包括发光系统的封装和系统以及其构造方法有效
申请号: | 200910137017.0 | 申请日: | 2009-04-27 |
公开(公告)号: | CN101599457A | 公开(公告)日: | 2009-12-09 |
发明(设计)人: | 金维植 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L33/00;H01S5/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 刘光明;穆德骏 |
地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 包括 系统 封装 及其 构造 方法 | ||
1.一种制造发光器件的方法,包括:
在第一衬底上形成至少一个发光结构,所述发光结构包括在所述 第一衬底上的第一覆层、在所述第一覆层上的有源层、在所述有源层 上的第二覆层以及至少一个倾斜的侧表面,所述至少一个倾斜的侧表 面包括所述第一覆层、所述有源层以及所述第二覆层的暴露面;
在所述发光结构上形成构图的绝缘层,其中,所述绝缘层包括暴 露所述第二覆层的一部分的凹进;
在所述凹进中和在所述绝缘层的至少一部分上形成第一电极层;
将所述第一电极层的至少一部分附着到第二导电衬底;
去除所述第一衬底,以暴露所述第一覆层的至少一个表面;以及
在所述发光结构的第一覆层的暴露表面上形成第二电极。
2.如权利要求1所述的方法,还包括将所述第二导电衬底与所述 发光结构周围的区域分离,以形成包括至少一个发光结构的至少一个 发光器件。
3.如权利要求1所述的方法,其中,所述的形成绝缘层的步骤包 括在所述发光结构的至少一个倾斜的侧表面的至少一部分以及所述第 二覆层上形成绝缘层。
4.如权利要求1所述的方法,其中,所述的形成绝缘层的步骤包 括在所述发光结构的有源层的至少暴露的侧表面以及所述第一覆层上 形成绝缘层,以及其中,所述的形成第一电极层的步骤包括在至少所 述第二覆层上形成第一电极层。
5.如权利要求1所述的方法,还包括在所述凹进中形成欧姆层,
其中,所述第一电极层形成在所述欧姆层以及所述绝缘层的至少 一部分上。
6.如权利要求1所述的方法,
其中,所述发光结构被形成为还包括至少一个凹槽,所述凹槽将 至少所述第二覆层与所述有源层分离,同时至少提供所述第一覆层的 连续部分,其中,所述凹槽的一个部分限定所述发光结构的主部分, 以及所述凹槽的另一个部分限定所述发光结构的次部分;以及
其中,所述的形成第二电极的步骤包括在所述次部分的第一覆层 的暴露表面上形成第二电极。
7.如权利要求1所述的方法,还包括从所述第一覆层的一部分形 成凸起结构,其中,所述第二电极形成在所述凸起结构上。
8.如权利要求1或权利要求6所述的方法,其中,所述第二导电 衬底包括齐纳二极管,所述齐纳二极管包括所述导电衬底的掺杂区, 其中,所述掺杂区具有与所述第二导电衬底的导电类型相反的导电类 型,以及其中,只有所述掺杂区与所述第一电极电连通。
9.一种制造发光器件的方法,包括:
在第一衬底上形成至少一个发光结构,所述发光结构包括在所述 第一衬底上的第一覆层、在所述第一覆层上的有源层、在所述有源层 上的第二覆层、至少一个侧表面以及至少一个凹槽,所述至少一个侧 表面包括所述第一覆层、所述有源层以及所述第二覆层的暴露面,所 述至少一个凹槽将至少所述第二覆层与所述有源层分离,同时至少提 供所述第一覆层的连续部分,其中,所述凹槽的一个部分限定所述发 光结构的主部分,以及所述凹槽的另一个部分限定所述发光结构的次 部分;
在所述发光结构上形成绝缘层,其中,所述绝缘层包括暴露所述 第二覆层的一部分的凹进;
在所述凹进中和在所述绝缘层的至少一部分上形成构图的第一电 极层,其中,所述第一电极层在所述凹槽区中是不连续的,以电隔离 所述次部分;
形成绝缘的通过孔接触,所述通过孔接触从所述第一电极层延伸 到所述发光结构的次部分的第一覆层;
将所述第一电极层的表面的至少一部分附着到第二导电衬底,其 中,所述第二导电衬底包括构图的导电中间层,所述导电中间层具有 第一部分和第二部分,所述第一部分用于附着到与所述凹进相对应的 所述第一电极层的表面,以及所述第二部分用于与所述通过孔接触电 连通;
去除所述第一衬底,以暴露所述第一覆层的至少一个表面;以及
将所述第二导电衬底与所述发光结构周围的区域分离,以形成包 括至少一个发光结构的至少一个发光器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造