[发明专利]发光器件、包括发光系统的封装和系统以及其构造方法

说明书

相关申请的交叉引用

该申请要求2008年4月25日提交的韩国专利申请 No.2008-0038970的权益，其公开的全部内容通过引用结合于此。

技术领域

本发明涉及发光器件、包含发光器件的封装和系统以及制备发光 器件和包含发光器件的封装的方法。更具体而言，本发明涉及诸如发 光二极管和半导体激光器的发光器件。

背景技术

诸如发光二极管和半导体激光器的发光器件具有各种用途。具体 来说，发光二极管(LED)由于优于白炽灯泡和荧光灯的某些益处而得 到极大关注。这些益处包括增长的寿命和较低的电力要求。例如，许 多LCD屏幕利用LED。除了照明使用之外，LED还可以用于杀菌和消 毒。类似地，由于诸如激光二极管的半导体激光器可以用在各种应用 中，因此它们得到极大关注。例如，半导体激光器可以用在激光打印 机、CD/DVD播放器和光学计算中。

发明内容

本发明涉及具有导电衬底的发光器件。这些发光器件可以能够(i) 主要向着至少一个预定方向发射光、(ii)增大反射光的发射、或(iii) 将热从发光器件热传导出，或者(i)、(ii)和(iii)的任何组合。

本发明的一个实施例涉及制造发光器件的第一常规方法。该方法 包括：在第一衬底上形成至少一个发光结构；在发光结构上形成构图 的绝缘层，其中，绝缘层包括暴露第二覆层的一部分的凹进；在凹进 中和绝缘层的至少一部分上形成第一电极层；将第一电极层的表面的 至少一部分附着到第二导电衬底；去除第一衬底，以暴露第一覆层的 至少一个表面；以及在发光结构的第一覆层的暴露表面上形成第二电 极。发光结构包括：第一覆层，所述第一覆层的至少一部分在第一衬 底上；有源层，在第一覆层上；第二覆层，在有源层上；以及至少一 个倾斜的侧表面，所述侧表面包括第一覆层、有源层和第二覆层的暴 露面。该方法还可包括将第二衬底和发光结构周围的区域分离，以形 成包括至少一个发光结构的至少一个发光器件。

在另一个实施例中，第一常规方法还可以包括如下的步骤：形成 至少一个凹槽，所述凹槽将至少第二覆层和有源层分离，同时至少提 供第一覆层的连续部分，其中，凹槽的一个部分限定发光结构的主部 分，凹槽的另一个部分限定发光结构的次部分。在这个实施例中，(i) 绝缘层中的凹进可以形成在发光结构的主部分上以及(ii)形成第二电 极的步骤可以被更改成包括在次部分的第一覆层的暴露表面上形成第 二电极。可以在发光结构中形成超过一个直凹槽和/或一个或多个弯曲 的凹槽，以提供发光结构的岛型次部分。

在另一个实施例中，第一常规方法还可以包括由第一覆层来形成 凸起结构的步骤，以及可以随后在凸起结构上形成第二电极。这个附 加的步骤可以应用到在此描述的实施例中的任何实施例。例如，通过 由发光结构的主部分的第一覆层形成凸起结构，这个附加步骤可以应 用到前面的段落中描述的开有凹槽的实施例。

在另一个实施例中，通过利用包括齐纳二极管的第二导电衬底， 可以更改第一常规方法(以及在前描述的实施例中的任何实施例)， 所述齐纳二极管包括导电衬底的掺杂区，其中，掺杂区具有与第二导 电衬底的导电类型相反的导电类型，其中，只有掺杂区与第一电极电 连通。