[发明专利]低成本大画面广视野角高速回应液晶显示装置

说明书

【技术领域】

本发明关于使用半色调曝光法而制作的大画面广视野角液晶显示装置。

【背景技术】

MVA模式垂直配向方式的液晶显示装置中，其控制液晶分子的配向方向的机构的配向方向控制电极，揭示于日本特开平07-230097、日本特开平11-109393及日本特开2001-042347中。

【发明内容】

(发明所欲解决的问题)

使用先前的配向方向控制电极的液晶面板的构造，是对应于小的像素者，由于配向方向控制电极仅使用1种，且使用像素电极的边缘场效应，因此像素变大时，则无法利用。

成为现在主流的MVA模式垂直配向方式的液晶显示装置，是在CF基板侧使用配向方向控制用的凸块或细缝(slit)电极，采用该方式于像素变大时虽可对应，但是CF基板的成本高，而成为以低价格制作大画面液晶TV的障碍。

本发明的目的，是在TFT主动矩阵型液晶显示装置的制造中，通过减少TFT主动矩阵基板与滤色基板的光微影步骤的次数，来缩短制造步骤，以降低制造成本且提高合格率。

(解决问题的手段)

本发明使用下述手段来解决上述问题。

〔手段1〕避免鉴别线(discriminationline)不稳定及摆动，将2种配向方向控制电极经由绝缘膜，而配置于像素电极的上层，在与像素电极相对的共享电极之间，通过上述2种不同的配向方向控制电极，可精密地控制负的介电常数各向异性液晶分子的歪斜方向。

〔手段2〕将1种配向方向控制电极经由绝缘膜，而配置于像素电极的上层，在像素电极中形成细长的细缝，利用此等2个配向方向控制机构，可精密地控制负的介电常数各向异性液晶分子的歪斜方向。

〔手段3〕将手段1、手段2中使用的配向方向控制电极中，连结于像素电极者，尽量接近于相对基板侧。

〔手段4〕通过使手段1、手段2中使用的配向方向控制机构，在像素的中央附近弯曲90度，可实现理想的4个区域配向。

〔手段5〕通过在TFT数组基板的制作方法处理中导入半色调曝光法，而减少光微影步骤的次数。

〔手段6〕将基本单位像素分割成2个子像素(Sub pixel)，将共享电极并列配置于影像信号在线，通过在奇数号行与偶数号行的共享电极上，于每个扫描期间切换不同极性的信号，而在施加于2个子像素的液晶分子的有效电压上产生差异。

(发明的效果)

通过使用手段1及手段2，可使薄膜晶体管数组基板侧具有全部的配向方向控制功能，因此无需在CF基板侧形成配向方向控制用焊垫或细缝，而可以廉价的CF基板来制造MVA模式液晶面板，并可降低成本及提高合格率。

通过使用手段3，连接于像素电极的配向方向控制电极接近相对基板，可增加作用于垂直配向的负的介电常数各向异性液晶分子的电场的旋转力矩，因此可实现高速响应。

通过使用手段4，可减少不需要的鉴别线的发生，可提高画面全体的光的透过率，且可实现发生不均匀情形少的液晶面板。

通过使用手段1、手段2及手段5，除了CF基板侧的处理成本的外，亦可减少薄膜晶体管数组基板的处理成本，可大幅降低MVA模式液晶面板的制造成本。生产效率亦提高，合格率亦大幅提高。

通过使用手段5及手段6，由于可以非常单纯的制作方法制造液晶配向控制机构，可以非常简单的电路实现丫曲线修正，因此以少许成本即可实现MVA模式液晶显示装置的显示质量提高。

本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知，为了达到前述发明目的，本发明的主要技术内容如下：

本发明提出一种IPS模式用主动矩阵基板的制造方法，该基板构成主动矩阵显示装置，其特点为：使用下述3次光微影步骤来制造：

4)形成栅极电极、梳齿状像素电极、影像信号线屏蔽用共享电极、像素电极内接触焊垫、及影像信号线屏蔽用共享电极内接触焊垫，

5)形成薄膜半导体层组件分离、及接触孔，

6)形成源极电极、漏极电极、像素中央共享电极及梳齿状共  享电极，

干式蚀刻薄膜晶体管的通道部的奥姆接触层后，使用屏蔽沉积法局部成膜硅氮化膜钝化层，不在栅极电极端子部、源极电极端子部及共享电极端子部上成膜。

其中，液晶驱动用的该梳齿状像素电极经由绝缘膜而配置于与该梳齿状共享电极的不同层，该梳齿状像素电极与该梳齿状共享电极于每一像素的中央部附近弯曲，该梳齿状像素电极较该梳齿状共享电极更接近于相对基板侧。

本发明提出的一种横电场方式主动矩阵型液晶显示装置，其是使用前述制造方法来制造。

【附图说明】