[发明专利]记忆体阵列以及记忆体装置

权利要求书

1.一种记忆体阵列，其特征在于其包括：

多个字线，在该些字线之间配置多个导电区，该些导电区包括多个漏极 区与多个源极区，且该些漏极区与该些源极区在该记忆体阵列中的该些字 线之间交替配置；

一虚拟字线，位于该记忆体阵列的一边缘，该虚拟字线仅在其与该些 字线之间的一侧配置有一漏极区，没有任何源极区直接配置于该虚拟字线 的周围；以及

多个遮蔽插塞，邻近该虚拟字线且位于该虚拟字线与该些字线之间。

2.一种记忆体装置，其特征在于其包括：

多个记忆胞；

多个字线，连结至该些记忆胞，在该些字线之间配置多个导电区导电区， 该些导电区包括多个漏极区与多个源极区，且该些漏极区与该些源极区在 该记忆体装置中的该些字线之间交替配置；

一虚拟字线，直接相邻于该些字线；

一边缘区，位于该虚拟字线与该些字线之间，在该边缘区侧配置有一 漏极区，并且没有任何源极区直接配置于该虚拟字线的周围；以及

多个遮蔽插塞，配置于该边缘区中。

3.一种记忆体装置，其特征在于其包括：

多个记忆胞；

多个导线，连结至该些记忆胞，在该些导线之间配置多个导电区，该些 导电区包括多个漏极区与多个源极区，且该些漏极区与该些源极区在该记 忆体装置中的该些导线之间交替配置；

一半孤立导线，位于该些记忆胞边缘且与该些导线平行，该半孤立导 线仅在其与该些导线之间的一侧配置有一漏极区，没有任何源极区直接配 置于该半孤立导线的周围；以及

多个遮蔽插塞，位于该些导线与该半孤立导线之间，其中该些遮蔽插 塞沿着该半孤立导线分布。