[发明专利]记忆体阵列以及记忆体装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体装置，特别是涉及一种记忆体阵列以及记忆体 装置。

背景技术

非挥发性记忆体(Nonvolatile memory)目前多应用在各种电子元件的 使用上，如储存结构资料、程序资料及其它可以重复存取的资料。而其中 一种可重复存取资料的非挥发性记忆体是称为快闪记忆体。快闪记忆体是 一种可电擦除且可编程只读记忆体(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM)，其具有可进行多次资料的存入、读取、擦除 等动作且存入的资料在断电后也不会消失的优点，所以已成为个人电脑和 电子设备所广泛采用的一种记忆体元件。

通常具有多个记忆胞排列成一阵列的记忆体装置是由数条相互平行的 字线所组成。此外，请参阅图3所示，在功能性字线302a所配置的记忆区 的边缘，有至少一虚拟字线302b直接配置于功能性字线302a旁以增加微 影制造工艺时的曝光均匀度。然而，记忆区中功能性字线302a旁所存在的 虚拟字线302b会导致虚拟字线302b与邻近的功能性字线302a’之间的耦 合效应。且虚拟字线302b与邻近的功能性字线302a’之间的耦合效应会造 成记忆区中虚拟字线302b所邻近的功能性字线302a’与其他功能性字线 302a之间的效能差异。因此记忆区中的记忆胞的效能并不均匀。

由此可见，上述现有的记忆体阵列以及记忆体装置在结构与使用上，显 然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问 题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的 设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显 然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型结构的记忆体阵 列以及记忆体装置，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进 的目标。

发明内容

本发明的目的在于，克服现有的记忆体阵列以及记忆体装置存在的缺 陷，而提供一种新型结构的记忆体阵列以及记忆体装置，所要解决的技术 问题是使其降低虚拟字线与字线之间的耦合效应，非常适于实用。

本发明的另一目的在于，提供一种新型结构的记忆体阵列以及记忆体 装置，所要解决的技术问题是使其解决程式化操作与读取操作时的漏电流 问题，从而更加适于实用。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据 本发明提出的一种记忆体阵列，其包括：多个字线；一虚拟字线，位于该 记忆体阵列的一边缘；以及多个遮蔽插塞，邻近该虚拟字线且位于该虚拟 字线与该些字线之间。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的记忆体阵列，其更包括分别位于该些字线之间以及位于该虚拟 字线与该些字线之间的多个导电区，其中所述的虚拟字线仅在其与该些字 线之间的一侧配置有该导电区。

前述的记忆体阵列，其中所述的导电区包括多个漏极区与多个源极区，且 该些漏极区与该些源极区在该记忆体阵列中的该些字线之间交替配置。

本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本 发明提出的一种记忆体装置，其包括：多个记忆胞；多个字线，连结至该 些记忆胞；一虚拟字线，直接相邻于该些字线；一边缘区，位于该虚拟字 线与该些字线之间；以及多个遮蔽插塞，配置于该边缘区中。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的记忆体装置，其更包括多个导电区分别配置于该些字线之间以 及配置于该虚拟字线与该些字线之间，其中所述的虚拟字线仅在其与该些 字线之间的一侧配置有该导电区。

前述的记忆体装置，其中所述的导电区包括多个漏极区与多个源极区，且 该些漏极区与该些源极区在该记忆体装置中的该些字线之间交替配置。

前述的记忆体装置，位于该虚拟字线与该些字线之间的该导电区为该 些漏极区的其中之一。

本发明的目的及解决其技术问题另外再采用以下技术方案来实现。依 据本发明提出的一种记忆体装置，其包括：多个记忆胞；多个导线，连结 至该些记忆胞；一半孤立导线，位于该些记忆胞边缘且与该些导线平行；以 及多个遮蔽插塞，位于该些导线与该半孤立导线之间，其中该些遮蔽插塞 沿着该半孤立导线分布。