[发明专利]半导体晶体管

权利要求书

1.一种半导体晶体管组件，包括：

a)一个或多个导电基极区，连接到第一电子端；

b)第一半导体能阻区，接触该导电基极区，其中第一肖特基能阻接 合形成于该第一半导体能阻区与该导电基极区的界面；

c)第二半导体能阻区，接触该导电基极区，其中第二肖特基能阻接 合形成于该第二半导体能阻区与该导电基极区的界面；

d)导电射极区，接触该第一半导体能阻区，其中第三肖特基能阻接 合形成于该导电射极区与该第一半导体能阻区的界面，其中该导 电射极区连接到第二电子端；及

e)导电集极区，接触该第二半导体能阻区，其中第四肖特基能阻接 合形成于该导电集极区与该第二半导体能阻区的界面，其中该导 电集极区连接到第三电子端；

其中，至少该第一半导体能阻区或该第二半导体能阻区的尺寸小于100 并在该第一半导体能阻区及该第二半导体能阻区之间的该导电基极区， 形成一个或多个量子井。

2.如权利要求1所述的半导体晶体管组件，其中该第一半导体能阻区 包括介于该导电基极区与该导电射极区之间的第一层，其中该第一层的厚 度小于100

3.如权利要求2所述的半导体晶体管组件，其中该第一层包括硅，其 中该第一层平行于(100)或(110)晶面。

4.如申权利要求1所述的半导体晶体管组件，其中该第二半导体能阻 区包括介于该导电基极区与该导电集极区之间的第二层，其中该第二层的 厚度小于100

5.如权利要求1所述的半导体晶体管组件，其中该第一半导体能阻区 或该第二半导体能阻区有一种材料是硅、锗、碳或III-V化合物半导体。

6.如权利要求1所述的半导体晶体管组件，其中至少该第一半导体能 阻区或该第二半导体能阻区有层状结构，其厚度小于

7.如权利要求1所述的半导体晶体管组件，当适当的电压加在该导电 基极区时，可产生穿隧电流，通过该第一半导体能阻区及该第二半导体能 阻区。

8.如权利要求7所述的半导体晶体管组件，当该导电基极区的工作函 数，较接近该第一半导体能阻区或该第二半导体能阻区的导电带边缘，而 较远离其价带边缘时，该穿隧电流的主要载子为电子。

9.如权利要求8所述的半导体晶体管组件，其中施于该导电基极区的 电压相对于射极电压是正的。

10.如权利要求8所述的半导体晶体管组件，其中该导电基极区包括 一层厚度小于的二硅化镍。

11.如权利要求10所述的半导体晶体管组件，其中该二硅化镍层平行 于(100)晶面。

12.如权利要求7所述的半导体晶体管组件，当该导电基极区的工作 函数，较接近该第一半导体能阻区或该第二半导体能阻区的价带边缘，而 较远离其导电带边缘时，该穿隧电流的主要载子为电洞。

13.如权利要求12所述的半导体晶体管组件，其中施于该导电基极区 的电压相对于射极电压是负的。

14.如权利要求12所述的半导体晶体管组件，其中该导电基极区包括 一层厚度小于20的二硅化钴。

15.如权利要求14所述的半导体晶体管组件，其中该二硅化钴层平行 于(100)晶面。

16.如权利要求1所述的半导体晶体管组件，其中至少该第一半导体 能阻区或该第二半导体能阻区未被掺杂。

17.如权利要求1所述的半导体晶体管组件，其中该导电射极区、导 电基极区或导电集极区包括一种或多种的金属、硅化物、锗化物及金属化 合物。

18.如权利要求1所述的半导体晶体管组件，其中至少该第一半导体 能阻区或该第二半导体能阻区包括硅/锗异接合结构。