[发明专利]半导体晶片保护膜无效
| 申请号： | 200910137720.1 | 申请日： | 2009-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN101567340A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 市六信广 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张 涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 保护膜 | ||
【权利要求书】：
1.半导体晶片保护膜，包括衬底膜和提供在衬底膜一面上的保护层， 所述保护层包括：
(A)100质量份的选自苯氧基树脂、聚酰亚胺树脂和(甲基)丙烯酸类树 脂的至少一种树脂，
(B)5～200质量份的环氧树脂，
(C)100～400质量份的填料，和
(D)催化量的环氧树脂固化催化剂，
其中，所述填料(C)包括涂覆有聚有机倍半硅氧烷树脂的硅橡胶细粒且 涂覆有聚有机倍半硅氧烷树脂的硅橡胶细粒占所述填料(C)的10～100质量 份。
2.根据权利要求1的半导体晶片保护膜，其中：
所述聚酰亚胺树脂(A)是具有酚性羟基的聚酰亚胺硅酮树脂，并且
所述环氧树脂(B)是双酚A型环氧树脂或双酚F型环氧树脂。
3.根据权利要求1或2的半导体晶片保护膜，其中所述填料(C)包括涂 覆有聚有机倍半硅氧烷树脂的硅橡胶细粒以及二氧化硅的组合。
4.根据权利要求3的半导体晶片保护膜，其中由爆燃方法制造所述二 氧化硅。
5.根据权利要求3的半导体晶片保护膜，其中用硅烷偶联剂表面处理 所述二氧化硅。
6.根据权利要求4的半导体晶片保护膜，其中用硅烷偶联剂表面处理 所述二氧化硅。
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