[发明专利]半导体晶片保护膜

说明书

技术领域

本发明涉及晶片保护膜，其用于在将半导体晶片划片(dicing)时防止晶 片背面碎裂(chipping)。更具体地，本发明涉及保护膜，其含有特定的填料 和具有优异的划片机切割性能。

背景技术

已使用倒装芯片连接方法(flip-chip connection method)以使半导体芯片 的装配区域小。在这种连接方法中，表面上形成有电路和连接凸起的晶片 被划片以得到半导体芯片，通过布置所述芯片的表面以面向衬底而使所述 芯片与衬底相连，然后进行树脂封装等以保护半导体芯片。

用于形成芯片保护层的薄片是已知的，其防止晶片被损坏(此后称为“碎 裂”)且同时作为替代树脂封装的密封膜，所述损坏是由于在上述划片过程中 的旋转刀的振动等引起的(参见专利文件1和2)。

专利文件1：JP-A-2002-280329(本文所使用的术语“JP-A”表示“未经审 查的已公开的日本专利申请”)

专利文件2：JP-A-2004-260190

发明内容

上述芯片保护层通过将其层压到晶片的背面上而使用，因此在划片过 程中最后被旋转刀切割的是所述保护层。然而，这样有以下问题：保护层 中含有的树脂组分因其延伸性能而使得切割困难，或者导致旋转刀的阻塞 以振动旋刀且更多地损坏晶片。因此，本发明的目的是提供没有这种问题 并在切割性能方面优异的保护膜。

即，本发明提供下列项1～6。

1.半导体晶片保护膜，包括衬底膜(substrate film)和提供在衬底膜一面 上的保护层，所述保护层包括：

(A)100质量份的选自苯氧基树脂、聚酰亚胺树脂和(甲基)丙烯酸类树 脂的至少一种树脂，

(B)5～200质量份的环氧树脂，

(C)100～400质量份的填料，和

(D)催化量的环氧树脂固化催化剂，

其中，涂覆有聚有机倍半硅氧烷树脂的硅橡胶细粒占所述填料的 10～100质量份。

2.根据项1的膜，其中：

所述聚酰亚胺树脂(A)是含有酚性羟基的聚酰亚胺硅酮树脂，和

所述环氧树脂(B)是双酚A型环氧树脂或双酚F型环氧树脂。

3.根据项1或2的膜，其中所述填料(C)含有涂覆有聚有机倍半硅氧烷 树脂的硅橡胶细粒以及二氧化硅的组合。

4.根据项3的膜，其中由爆燃方法制造所述二氧化硅。

5.根据项3的膜，其中用硅烷偶联剂表面处理所述二氧化硅。

6.根据项4的膜，其中用硅烷偶联剂表面处理所述二氧化硅。

本发明保护膜包含预定量的涂覆有聚有机倍半硅氧烷树脂的硅橡胶细 粒，使得在便于通过划片机的切割和不引起旋转刀阻塞的同时可以防止晶 片的碎裂。

本发明的保护膜可提高硅芯片的产率并可用于半导体器件的生产。

具体实施方式

(A)选自苯氧基树脂、聚酰亚胺树脂和(甲基)丙烯酸类树脂的至少一种树脂 (本文中，其也可称为组分(A))

所述苯氧基树脂是得自例如表氯醇和双酚A或F的树脂，优选由GPC 测量且按聚苯乙烯计的重均分子量为10,000～200,000，更优选 20,000～100,000，最优选30,000～80,000。如果重均分子量小于以上的下限， 则几乎不能形成层，而如果超过以上的上限，很难获得与具有精细电路图 案的衬底表面的凹凸相应的充分的柔性(flexibility)。