[发明专利]集成电路结构

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

一半导体基底；

一高压阱区于该半导体基底中；

一第一双重扩散区于该高压阱区中；

一第二双重扩散区于该高压阱区中，其中该第一双重扩散区与该第二双 重扩散区通过该高压阱区的一中间部分彼此互相分离；

一凹口自该半导体基底的顶部表面延伸进入该高压阱区的该中间部分， 其中该第二双重扩散区具有一部分直接位于该凹口之下且延伸进入该半导 体基底更深于该第二双重扩散区的其他部分；

一栅极介电层延伸进入该凹口且覆盖该凹口的底部；

一栅极电极于该栅极介电层上；

一第一源/漏极区于该第一双重扩散区中；以及

一第二源/漏极区于该第二双重扩散区中。

2.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该第一双重扩散区、该第二 双重扩散区、该第一源/漏极区与该第二源/漏极区为一第一导电形式，而其 中该高压阱区为一第二导电形式其相对于该第一导电形式。

3.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该凹口的底部高于该第一双 重扩散区与该第二双重扩散区的底部表面。

4.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该凹口的底部低于该第一源 /漏极区与该第二源/漏极区的底部表面。

5.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该凹口包括一第一边缘与一 第二边缘其相对于该第一边缘，其中该第一边缘于该第二双重扩散区中，而 该第二边缘于该高压阱区中。

6.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该凹口包括一第一边缘与一 第二边缘其相对于该第一边缘，其中该第一边缘于该第二双重扩散区中，而 该第二边缘于该第一双重扩散区中。

7.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该第一双重扩散区包括一第 一顶部表面实质上为平坦的，该第二双重扩散区包括一第二顶部表面实质上 为平坦的，且其中该栅极电极包括一第一部分直接位于该第一双重扩散区的 该第一顶部表面上与一第二部分直接位于该第二双重扩散区的该第二顶部 表面上。

8.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该第一双重扩散区包括一第 一顶部表面实质上为平坦的，该第二双重扩散区包括一第二顶部表面实质上 为平坦的，且其中栅极电极不具有任何部分直接位于该第一双重扩散区的该 第一顶部表面与该第二双重扩散区的该第二顶部表面上。

9.如权利要求1所述的集成电路结构，还包括一浅沟槽隔离区于该半导 体基底中，其中该凹口的底部实质上与该浅沟槽隔离区的底部对齐。

10.一种集成电路结构，包括：

一半导体基底；

一高压阱区为一第一导电形式于该半导体基底中；

一第一双重扩散区于该高压阱区中，该第一双重扩散区为一第二导电形 式其相对于该第一导电形式；

一第二双重扩散区为该第二导电形式于该高压阱区中，其中该第一双重 扩散区与该第二双重扩散区为彼此互相分离；

一凹口自该半导体基底的顶部表面延伸进入该高压阱区的该中间部分， 其中该第二双重扩散区具有一部分直接位于该凹口之下且延伸进入该半导 体基底更深于该第二双重扩散区的其他部分；

一栅极介电层于该高压阱区上延伸进入该凹口且覆盖该凹口的底部，其 中该栅极介电层包括一第一部分低于该第一双重扩散区的一第一顶部表面 与该第二双重扩散区的一第二顶部表面，且其中该第一部分介于该第一双重 扩散区与该第二双重扩散区之间；

一栅极电极于该栅极介电层上；

一源极区于该第一双重扩散区中；以及

一漏极区于该第二双重扩散区中。

11.如权利要求10所述的集成电路结构，还包括一浅沟槽隔离区于该半 导体基底中，其中该栅极介电层的该第一部分具有一底部实质上与该浅沟槽 隔离区的底部对齐。