[发明专利]半导体迭层与其制造方法

权利要求书

1.一种半导体迭层的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

于一基板上形成一非晶硅层；

对所述非晶硅层的一表面进行一表面处理，所述表面处理包括利用一氢 气等离子体，或一氩气等离子体，或一氮气等离子体对所述非晶硅层的所述 表面进行一前处理；以及

于经过所述表面处理后的所述非晶硅层的所述表面上形成一掺杂微晶硅 层，其中所述非晶硅层与所述掺杂微晶硅层之间的界面缺陷，在宽度为1.5微 米与厚度为40纳米的一截面范围内，所占的截面积比例小于或等于10％。

2.如权利要求1所述的半导体迭层的制造方法，其特征在于，在宽度为 1.5微米与厚度为40纳米的所述截面范围内，所述界面缺陷所占的截面积比 例介于2％至10％之间。

3.如权利要求1所述的半导体迭层的制造方法，其特征在于，在宽度为 1.5微米与厚度为40纳米的所述截面范围内，所述界面缺陷所占的截面积比 例介于5％至10％之间。

4.如权利要求1所述的半导体迭层的制造方法，其特征在于，在形成所 述掺杂微晶硅层后，所述界面缺陷是非连续地分布于所述非晶硅层的界面上。

5.一种半导体迭层，其特征在于，所述半导体迭层包括：

一非晶硅层；以及

一掺杂微晶硅层，位于所述非晶硅层的一表面上，其中所述非晶硅层与 所述掺杂微晶硅层之间存在多个界面缺陷，在宽度为1.5微米与厚度为40纳 米的一截面范围内，所占的截面积比例小于或等于10％。

6.如权利要求5所述的半导体迭层，其特征在于，在宽度为1.5微米与 厚度为40纳米的所述截面范围内，所述界面缺陷所占的截面积比例介于2％ 至10％之间。

7.如权利要求5所述的半导体迭层，其特征在于，在宽度为1.5微米与 厚度为40纳米的所述截面范围内，所述界面缺陷所占的截面积比例介于5％ 至10％之间。

8.如权利要求5所述的半导体迭层，其特征在于，所述界面缺陷具多孔 性。

9.如权利要求5所述的半导体迭层，其特征在于，所述界面缺陷是非连 续地分布于所述非晶硅层与所述掺杂微晶硅层之间。