[发明专利]具有图案化电流阻挡金属接触的发光二极管及其方法

权利要求书

1.一种具有图案化电流阻挡金属接触的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：

外延层构造；

设置在所述外延层构造上的第一电极，所述第一电极具有图案；以及

设置在所述外延层构造上的第二电极，所述第二电极具有与所述第一电极的图案相对准的部分；

其中，所述第二电极的所述部分形成与所述外延层构造的非欧姆接触。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述外延层构造包括第一外延层和第二外延层，其中所述第一外延层位于所述第一电极与所述第二外延层之间，而所述第二外延层位于所述第二电极与所述第一外延层之间。

3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括位于所述第一外延层与所述第二外延层之间的有源区。

4.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述非欧姆接触部分位于所述第二电极与所述第二外延层之间。

5.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述非欧姆接触部分具有与所述第二外延层的肖特基接触。

6.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，通过对所述第二外延层进行等离子体处理而形成所述非欧姆接触部分。

7.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，通过对所述第二外延层进行并且对所述经过光刻的外延层进行等离子体处理而形成所述非欧姆接触部分，使得所述非欧姆接触部分形成在所述第二电极与所述第二外延层未被光刻胶覆盖的部分之间。

8.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述等离子体处理所使用的气体包括O₂、N₂、H₂、Ar、He、Ne、Kr、Xe或者它们的任何组合。

9.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述非欧姆接触部分包括从Ag、Pt、Ni、Cr、Ti、Al、Cu、Pd、W、Ru、Rh、Mo以及它们的合金中选出的金属。

10.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述等离子体处理对接近所述第二外延层表面的掺杂浓度进行补偿。

11.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述等离子体处理将在经过所述等离子体处理的区域处所述第二外延层的掺杂转化为相反掺杂。

12.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述非欧姆接触部分的图案的宽度大于或者等于所述第一电极的图案的宽度。

13.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二电极包括从Ag、Pt、Ni、Cr、Ti、Al、Cu、Pd、W、Ru、Rh、Mo以及它们的合金中选出的金属。

14.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极层包括第一材料和第二材料，其中，所述第二材料形成与所述外延层构造的所述非欧姆接触部分。

15.如权利要求14所述的发光二极管，其特征在于，所述第一材料包括从Ag、Pt、Ni、Cr、Ti、Al、Cu、Pd、W、Ru、Rh、Mo和它们的合金中选出的金属。

16.如权利要求14所述的发光二极管，其中，所述第一材料部分地形成在所述外延层构造上，而所述外延层构造上没有所述第一材料的区域形成与所述第一电极的图案相对准的图案，所述第二材料形成在所述第一材料上。

17.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二电极附着在衬底上。

18.如权利要求17所述的发光二极管，其特征在于，从由金属、半导体材料和陶瓷组成的组中选出所述衬底。

19.如权利要求18所述的发光二极管，其特征在于，所述金属包括从Cu、Mo、W和Al中选出的一种，所述半导体材料包括从Si、GaAs、GaP、InP和Ge中选出的一种，而所述陶瓷包括从Al₂O₃和AlN中选出的一种。