[发明专利]具有图案化电流阻挡金属接触的发光二极管及其方法

说明书

技术领域

本发明总体上涉及发光二极管，并且具体地说，涉及具有电流阻挡(currentblock)的发光二极管。

背景技术

发光二极管(LED)已经发展了许多年，并且广泛应用于多种照明用途。由于LED重量轻，能耗低，并且具有良好的电能到光的转化效率，所以被用来取代传统光源，例如白炽灯和荧光源。但是，LED发光的波段相对较窄，并且因为其构造限制所以在有效地进行发光方面存在困难。但是，为了成功地取代传统光源，LED必须尽可能多的发光。

因此，在本领域中需要改进LED构造，使得LED能够尽可能以最有效的方式发光。

发明内容

本发明的目的之一是提供一种发光二极管，所述发光二极管包括：外延层构造；形成在所述外延层构造上的第一电极，所述第一电极具有图案；以及形成在所述外延层构造上的第二电极，所述第二电极具有与所述第一电极的图案相对准的部分，其中，所述第二电极的所述部分形成与所述外延层构造的非欧姆接触。

本发明的另一目的是提供一种制造发光二极管的方法，所述方法包括以下步骤：形成外延层构造；在所述外延层构造上形成第一电极，所述第一电极具有第一图案；以及在所述外延层构造上形成第二电极，其中，所述第二电极具有与所述第一电极的图案相对准的部分，所述第二电极的所述部分形成与所述外延层构造的非欧姆接触。

本发明提供一具有图案化电流阻挡金属接触的发光二极管及其制造方法，所述二极管具有良好的电能到光的转化效率。

附图说明

结合附图，通过示例说明了本发明的各个方面，但不是对本发明的限定，附图中：

图1A是垂直LED构造的剖视图。

图1B是垂直LED构造的俯视图，其中示出了被图案化的n接触。

图2A是横向LED构造的剖视图。

图2B是横向LED构造的俯视图。

图3是不具有电流阻挡的垂直LED的电流密度分布图。

图4A-图4E示出了用于制造具有金属电流阻挡的垂直LED的工艺流程。

图5A-图5F示出了用于制造具有金属电流阻挡的垂直LED的工艺流程。

图6是具有电流阻挡的垂直LED的电流密度分布图。

具体实施方式

可以理解的是，通过下面的详细描述，本领域技术人员将更清楚本发明的其它方面，其中通过示例仅公开并描述了本发明的示例性方面。可以理解的是，本发明包括其它不同的方面，并且其细节能够按照各个方面进行多种改动，而不脱离本发明思想和范围。因此，附图和详细说明是作为示例的，而不是限制性的。

以下是与附图相结合的详细描述，旨在作为从各个方面对本发明的说明，但是并不代表本发明能被实施的全部方式。详细的描述包括为了全面理解本发明的具体细节。但是，对于本领域技术人员明显的是，不采用这些细节也能实施本发明。在一些示例中，在附图中以简图的形式示出了常见结构及元件，以避免混淆本发明的概念。