[发明专利]晶片的制造方法和制造装置以及固化性树脂组合物

说明书

技术领域

本发明涉及供半导体元件使用的晶片的制造方法，进一步具体来说， 本发明涉及用于除去晶片的翘曲、起伏(うねり)的方法，所述晶片的翘曲 和起伏是以硅为代表的单晶锭切片时产生的。

背景技术

对于现有的晶片制造，是通过例如图8所示的工艺制造的。首先， 在步骤S10，在对通过例如单晶提拉法制造的单晶锭的外周进行磨削后， 实施用于结晶方向定位的例如定位面加工(オリエンテ一シヨンフラツト 加工)、缺口加工(ノツチ加工)，利用内周刃式锯或线状锯将单晶锭切片(步 骤S10：切片工序)。接下来，在步骤S20，利用磨削磨石对切下的晶片 的外周部进行倒角(磨斜棱(beveling))(步骤S20：倒角工序)，然后在步骤 S30，通过研磨工序或者双面磨削工序形成均匀的厚度。

其后，在步骤S40，通过磨削磨石对晶片表面的两面分别或同时进 行磨削(研磨)，除去由切片产生的晶片上的起伏，从而将晶片的两面平坦 化。此时，利用研磨机磨削晶片的两面时，晶片表面产生加工变质层。 于是，在步骤S50，通过利用酸或碱的蚀刻或者CMP(Chemical Mechanical Polishing：化学机械研磨法)等研磨来除去加工变质层。

一直以来以该方式制造以硅为代表的晶片，但由于从单晶锭到制造 出晶片的工序数较多，因此要求简化晶片制造工序。

因此，人们对省略研磨工序或双面磨削工序的情况进行了研究。但 是，仅利用通常的磨削工序，存在难以除去在将单晶锭切片时产生的晶 片表面的翘曲、起伏这样的问题。

在专利文献1或专利文献2中公开了用于除去这样的起伏的方法。 在这些方法中，首先在切出的晶片的任意一个面上涂布蜡或树脂等，并 使其固化。固化时，将平坦的板压接在蜡或树脂的表面上，从而使固化 后的树脂的表面成为均匀的平坦面(基准面)。接下来，在蜡或树脂固化后， 以固化的表面为下侧并使基准面与卡盘工作台的面接触来将晶片保持在 卡盘工作台上。进而，利用磨削磨石对保持在卡盘工作台上的晶片的上 侧表面进行磨削。由此，除去表面存在的起伏，再通过进行必要量的磨 削，从而能形成均匀的平坦面。其后，使在晶片的上侧表面形成的平坦 面为下侧，将晶片保持在卡盘工作台上。并且，在磨削前将固化的蜡或 树脂除去，然后对晶片的另一面进行起伏的除去和磨削，由此能够将晶 片加工成具有预定厚度且表面平坦的晶片。

但是，在上述的方法中，由于没有对涂布在晶片表面上的蜡或树脂 的厚度进行限定，因此在某些厚度下可能产生以下问题。例如，涂布在 晶片上的树脂等的厚度过薄时，不能借助树脂等来充分补偿(抹平)起伏， 导致磨削时起伏被转印(転写)到晶片的加工面上，结果不能除去起伏。另 一方面，涂布在晶片上的树脂等的厚度过厚时，在树脂等的弹性的作用 下晶片从磨削磨石下逃脱，因此即使能够除去表面的起伏，也不能将晶 片磨削成均一的厚度。

为了解决该问题，在专利文献3、专利文献4中提出了如下技术： 作为用于在晶片表面上形成基准面的表面固定化方法，使用糊状的固化 性材料，借助该固化性材料来补偿晶片的翘曲、起伏。

作为用于补偿翘曲、起伏的构成，专利文献3中仅公开了在用于固 定晶片的方法中使用粘接材料。另外，在专利文献4中公开了通过将固 化性材料涂布成特定的厚度而能够补偿起伏这样的技术。

但是，难以同时除去晶片表面的翘曲、起伏，另外在使用固化性树 脂组合物的情况下，通常将其涂布在基材上并使其固化后会出现由固化 带来的收缩，从而因该收缩导致晶片出现翘曲。基于这样的理由，期望 开发出这样一种材料，该材料能够除去在磨削加工时的晶片的翘曲、起 伏且能够抑制在固化性树脂组合物的固化过程中晶片出现翘曲。

专利文献1：日本特开平11-111653号公报

专利文献2：日本特开2000-5982号公报

专利文献3：日本特开平8-66850号公报

专利文献4：日本特开2006-269761号公报

发明内容

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供在涂布于晶片表 面上的固化性树脂组合物固化时晶片不出现翘曲、而且在晶片表面的磨 削加工工序中能除去晶片表面的翘曲、起伏并能将晶片磨削至所需厚度 的、新颖且改良的制造晶片的方法和制造装置以及在上述制造方法中使 用的固化性树脂组合物。