[发明专利]用于输入电流源的外部补偿有效

专利信息
申请号: 200910139380.6 申请日: 2009-05-13
公开(公告)号: CN101847029A 公开(公告)日: 2010-09-29
发明(设计)人: 帕特·特龙;宝来·梅;张嘉仁 申请(专利权)人: 南亚科技股份有限公司
主分类号: G05F3/24 分类号: G05F3/24
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 史新宏
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 用于 输入 电流 外部 补偿
【权利要求书】:

1.一种补偿电路,用以补偿外部供给电压,其特征在于,包含有:

运作放大器,其包含有作为运作放大器的第一输入电压的偏压电压以及第二输入电压;

第一PMOS晶体管对,耦接于该运作放大器与该外部供给电压的输出端,其中该第一PMOS晶体管对的输出电压为该运作放大器的该第二输入电压;

第二PMOS晶体管对,耦接于该外部供给电压与该运作放大器的该输出端,其中该第二PMOS晶体管对的输出电压为该补偿电路的输出电压且该第二PMOS晶体管对的该输出等于该输入电压-χΔV;

第一NMOS电路,以混合连接的方式耦接于该第一与第二PMOS晶体管对,且耦接于该外部供给电压、参考电压以及公称电压以提供输出电压,而第一NMOS电路的该输出电压等于该参考电压-该公称电压/3-χΔV;以及

第二NMOS电路,耦接于该第一NMOS电路与该外部供给电压,用以提供输出电压,而该输出电压等于该外部供给电压/3。

2.根据权利要求1所述的补偿电路,其特征在于,该第一NMOS电路包含有:

第一NMOS晶体管对、第二NMOS晶体管对以及第三NMOS晶体管对,该第一NMOS晶体管对的输出耦接于该第一PMOS晶体管对,该第二与第三NMOS晶体管对以该混合连接的方式耦接于该第二PMOS晶体管对;

而该第一NMOS电路包含有:

第一NMOS晶体管;

第二NMOS晶体管;以及

第三NMOS晶体管;

其中该第一、第二以及第三NMOS晶体管的栅极-源极压差皆相同。

3.根据权利要求2所述的补偿电路,其特征在于,χ的数值可经由调整该第一NMOS晶体管对与第三NMOS晶体管对的增益而控制在0与1/3之间。

4.根据权利要求1所述的补偿电路,其特征在于,被实现于至少包含有一前置驱动器的一集成电路中,用以提供该输出电压给该前置驱动器以补偿该外部供给电压的变化对该前置驱动器的影响。

5.一种集成电路,其特征在于,包含有:

前置驱动器级,耦接于外部供给电压,用以控制终端驱动器级电压;

终端驱动器级,耦接于该前置驱动器级与该外部供给电压,用以提供输出电压;

补偿电路,耦接于该前置驱动器级,用以提供偏压电压给该前置驱动器级以控制流经该前置驱动器级的电流,进而补偿该外部供给电压的变化的影响;以及

偏压电路,耦接于该外部供给电路与该补偿电路,用以提供偏压电压作为输入电压给该补偿电路。

6.根据权利要求5所述的集成电路,其特征在于,该前置驱动器级包含有n沟道晶体管与p沟道晶体管,该补偿电路所输出的该偏压电压被输入给该前置驱动器的该n沟道晶体管,而该集成电路还包含有:

电流镜,包含有NMOS/PMOS晶体管对,耦接于该补偿电路所输出的该偏压电压以及该前置驱动器的该p沟道晶体管,用以映射流经该p沟道晶体管级的该偏压电流以控制流经该p沟道晶体管级的电流。

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