[发明专利]用于输入电流源的外部补偿

说明书

技术领域

本发明是相关于集成电路，尤指一种用以补偿集成电路的外部供给电压的方法与装置，以确保任何来自该外部供给电压的变化皆能被补偿。

背景技术

制程、偏压、温度(Process，Voltage，Temperature，通称PVT)的变化往往会影响集成电路细部的运作而导致不良的结果。于是，集成电路需要使用各种补偿电路来中和这些PVT变化所引起的影响。

一相关的已知补偿方法是采用监看一供给电压的方式，利用该供给电压的变化来启动补偿电路。当该供给电压降低至一相当的门坎时，该补偿电路便被启动，一旦该供给电压回升至高于该门坎时，该补偿电路便随即关闭。该补偿电路的运作是将电路里的下降延迟(falling delay)的长度调整至与上升延迟(rising delay)的长度更为接近。这是因为PVT变化对下降延迟与上升延迟有着不同程度的影响。

另一相关的已知补偿方法是利用补偿电路来控制输入给该些电路元件的一偏压电压来得到一个固定的门坎电压(threshold voltage)。PMOS元件与NMOS元件的偏压是分开控制的。

假如PMOS元件与NMOS元件中的PVT变化可由同一个电路来控制，供给电压便可更加精确地被补偿，而电路的复杂度亦可减少。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种方法与装置，用以补偿集成电路的外部供给电压，且较上述已知技术来得容易实现。

一种补偿电路，用以补偿外部供给电压，包含有：运作放大器、第一PMOS晶体管对、第二PMOS晶体管对、第一NMOS电路以及第二NMOS电路。该运作放大器包含有作为运作放大器的第一输入的偏压电压以及第二输入。该第一PMOS晶体管对耦接于该运作放大器与该外部供给电压的输出端，其中该第一PMOS晶体管对的一输出为该运作放大器的该第二输入。该第二PMOS晶体管对耦接于该运作放大器与该外部供给电压的该输出端，其中该第二PMOS晶体管对的一输出为该补偿电路的输出电压且该第二PMOS晶体管对的该输出等于该输入电压-χΔV。该第一NMOS电路以混合连接的方式耦接于该第一与第二PMOS晶体管对，且耦接于该外部供给电压、参考电压以及一公称电压以提供一等于该参考电压-该公称电压/3-χΔV的输出电压。该第二NMOS电路耦接于该第一NMOS电路与该外部供给电压，用以提供等于该外部供给电压/3的输出电压。

一种集成电路，包含有前置驱动器级、终端驱动器级、补偿电路、偏压电路。该前置驱动器级耦接于外部供给电压，用以控制终端驱动器级电压。该终端驱动器级耦接于该前置驱动器级与该外部供给电压，用以提供输出电压。该补偿电路耦接于该前置驱动器级，用以提供偏压电压给该前置驱动器级以控制流经该前置驱动器级的电流，而该前置驱动器级补偿该外部供给电压的变化。该偏压电路耦接于该外部供给电路与该补偿电路，用以提供偏压电压作为一输入给该补偿电路。

对本领域技术人员而言，在配合各图式阅读以下较佳实施例的详细说明后，应可轻易了解本发明的目标。

附图说明

图1为依据本发明一范例实施例的一补偿电路的简图。

图2为图1所示的该补偿电路应用于一集成电路的简图。

[主要元件标号说明]

N1～N16    n沟道晶体管

P1～p10    p沟道晶体管

100        补偿电路

200        集成电路

具体实施方式

在说明书及上述的申请专利范围当中使用了某些词汇来指称特定的元件。所属领域中具有通常知识者应可理解，硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同样的元件。本说明书及上述的申请专利范围并不以名称的差异来作为区分元件的方式，而是以元件在功能上的差异来作为区分的准则。在通篇说明书及上述的请求项当中所提及的「包含」为开放式的用语，故应解释成「包含但不限定于」。另外，「耦接」一词在此是包含任何直接及间接的电气连接手段。因此，若文中描述第一装置耦接于第二装置，则代表该第一装置可直接电气连接于该第二装置，或通过其它装置或连接手段间接地电气连接至该第二装置。

本发明沿用了已知方法中控制偏压电压的作法来提供固定的电压/电流给一集成电路，然而，本发明采用一新颖的装置来提供一相同的偏压电压给PMOS与NMOS电路元件。本发明亦揭露了一种以此偏压电压来补偿PVT变化的方法。