[发明专利]光刻装置和器件制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种光刻装置和一种器件制造方法。

背景技术

光刻装置是一种将所需图案应用于基底的靶部上的装置。光刻装置可以用 于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，如掩模的构图装置可用于产生 对应于IC一个单独层的电路图案，该图案可以成像在已涂敷辐射敏感材料(抗 蚀剂)层的基底(例如硅晶片)的靶部上(例如包括一个或者几个部分的管芯 (die))。一般地，单一基底将包含相继曝光的相邻靶部的整个网格。已知的光 刻装置包括所谓步进器，其中通过将全部图案一次曝光在靶部上而辐射每一靶 部，还包括所谓扫描装置，其中通过投影光束沿给定方向(“扫描”方向)扫 描图案，同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底来辐射每一靶部 。

已经提出了在光刻投影装置中将基底浸没在一种具有相对高折射率的液体中 ，比如水，以使其填充投影系统最后元件和基底之间的空间。这样做的目的是 由于曝光射线在液体中具有更短的波长，从而能够对更小的特征成像。(也可 以将液体的作用看作提高系统的有效NA和增加焦深)。但是，包括水和悬浮其 中的固体粒子(例如：石英)的其他浸液也可以采用。

然而，将基底或基底和基底台浸入液体槽中(参见例如US 4,509,852，其 全文在这里作为参考引入)意味着在扫描曝光过程中，需要加速大量的液体。 这需要附加或更强劲的马达，并且液体中的紊流将会导致不利和不可预知的影响 。

已经提出的一种解决方案提供了一种液体供给系统，其只在基底的液体局 部区域上和投影系统最后元件与使用液体密封系统的基底(该基底一般具有比 投影系统最后元件更大的表面积)之间内提供液体。WO99/49504公开了安排 上述系统的已提出的一种方式，其全文在这里作为参考引入。如图2和图3的说明 ，液体由至少一个入口IN提供到基底上，优选沿基底相对于最后元件的运动方 向提供，并在经过投影系统下后由至少一个出口OUT排除。即，当基底在元件 下在X方向上被扫描时，在元件的+X侧提供液体，并且在-X侧排除液体。图 2表示液体通过入口IN提供并在元件另一侧经与低压源连接的出口OUT排除的 示意排列。在图2的说明中，液体沿基底相对于最后元件的运动方向提供，但 对于本例这并不是必需的。位于最后元件周围的各种方向和数量的入口和出口 都是可能的，如图3示出的例子，其中在最后元件周围的每一边提供了四套常 规式样的入口的出口。

已经提出的另一种解决方案提供了一种具有密封构件的液体供给系统，该 密封构件沿投影系统的最后元件与基底台间的空间边界的至少一部分延伸。图 4说明了这样一种解决方案。该密封构件虽然在Z方向(光轴方向)上可能有少 许相对运动，但在XY平面上基本相对于投影系统静止。在密封构件和基底表 面间形成密封。优选的密封是非接触型密封例如气密封。申请号为03252955.4 的欧洲专利公开了例如具有气密封的系统，其全文在这里作为参考引入。

申请号为03257072.3的欧洲专利公开了一对或双工作台浸没光刻装置。这 种装置配备有支撑基底的两个工作台。利用没有浸没液体的处于第一位置的进 台进行水平测量，利用存在浸没液体的处于第二位置的台进行曝光。另外，该 装置可只有一个工作台。

然而，当气密封有效密封液体的同时，也存在其他问题。其需要相对高的 气压(具有相对于环境超压强或100-10000Pa的计量压强)和与之组合的气密封 部件的相对弱的阻尼，其中振动能穿过气密封传递，会对成像系统的性能造成 不利影响。由压强扰动造成的振动能产生在垂直方向上1至20nm和水平方向1至 50nm之间的伺服误差。

发明内容

本发明的一个目的在于提供一种用以在被成像的基底的表面与投影系统的 最后元件间的空隙容纳液体的有效密封。

依照本发明实现上述及其他发明目的的光刻装置，包括：

用于提供辐射投影光束的辐射系统；

用于支撑构图装置的支撑结构，所述构图装置用于根据所需的图案对投影 光束进行构图；

用于保持基底的基底平台；

用于将带图案的光束投影到基底的靶部上的投影系统；

用于在所述投影系统最后元件和所述基底之间的空隙提供液体的液体供给 系统，

其特征在于所述液体供给系统包括：

沿所述投影系统的最后元件与所述基底台间空隙的边界的至少一部分延伸 的密封构件；和