[发明专利]电镀废水破络合处理方法

权利要求书

1.电镀废水破络合处理方法，其特征在于下述步骤：

(1)电镀废水均质均量后，根据Cr⁶⁺浓度调整至相应酸度，Cr⁶⁺浓度与酸度参考值为： Cr⁶⁺为50mg/L时，pH为3；Cr⁶⁺为200mg/L时，pH为1.5；

(2)调整pH后的电镀废水进入生化反应池，采用BM优化菌生化处理电镀废水，使用 量为每升电镀废水1～3毫升BM优化菌，处理时间1～2h；

(3)经生化处理后的电镀废水流入破络合塔，调节pH为8～9，在破络合塔内处理1～2h， 将络合态重金属转化为离子态后流出；所述的破络塔中有数种难溶固体物质组成的破络合填 料对电镀废水进行处理，难溶固体物质组成为：铁屑、稀土和硅类物质；

(4)经破络合处理后的电镀废水流入曝气池、混凝池进一步混凝除杂，最后进入沉淀池 进行泥水分离；

以上步骤(2)所述BM优化菌的来源为：以BM功能菌团为原料菌，每3d补充1次 Postgate’s C型培养基，每天通氮气15min，35℃生化培养箱恒温培养而成；再采用pHl～ pH7梯度型培养基，加入一定浓度的重金属溶液对菌种驯化培养，使BM优化菌具备处理 pH为1的重金属废水能力；

所述Postgate’s C型培养基的组份为：KH₂PO₄，0.5g/L；NH₄Cl，1.0g/L；MgSO₄·7H₂O， 0.06g/L；CaSO₄，1.0g/L；FeSO₄·7H₂O，0.01g/L；Na₂SO₄，4.5g/L；CaCl₂·H₂O，0.06g/L； 柠檬酸钠，0.3g/L；乳酸钠，3.5g/L；酵母浸膏，1.0g/L；培养基的制作过程采用Hungate 严格厌氧操作技术。