[发明专利]半导体器件的制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，应用于形成浅沟槽隔离区后的栅极刻蚀工序中，所述栅极刻蚀的主刻蚀时间包括干涉测量终点IEP检测时间和过刻蚀补偿过程时间，其特征在于，该方法包括：确定沟槽深度与过刻蚀补偿过程时间的对应关系，在半导体器件具有所述沟槽深度时，根据所述对应的过刻蚀补偿过程时间，在主刻蚀过程中对栅极进行过刻蚀补偿。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，确定沟槽深度与过刻蚀补偿过程时间的对应关系的具体方法为：

量测一沟槽深度，确定形成理想栅极形状的主刻蚀时间；

选择不同沟槽深度，得到其所对应的IEP检测时间；

获取所述沟槽深度与IEP检测时间拟和的曲线；

选择所述拟和曲线上的任一沟槽深度所对应的IEP检测时间，该沟槽深度所对应的过刻蚀补偿过程时间为所述主刻蚀时间减去该沟槽深度所对应的IEP检测时间。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述过刻蚀补偿过程时间的值大于或者等于零。