[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在半导体衬底上形成隧道绝缘层、用于浮置栅极的导电层和硬掩模层；

通过蚀刻所述硬掩模层、所述用于浮置栅极的导电层、所述隧道绝缘 层和所述半导体衬底，形成具有侧壁的隔离沟槽；

通过用绝缘层填充所述隔离沟槽形成隔离结构；

通过蚀刻掉所述隔离结构的预定厚度来暴露所述隔离沟槽的上部侧 壁；和

通过实施离子注入工艺在所述隔离沟槽的暴露的上部侧壁中形成离子 注入区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在蚀刻掉所述隔离结构的预定厚度 之后所述隔离结构的暴露的顶表面低于所述半导体衬底中结区的深度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中通过从所述半导体衬底的顶表面开 始计算蚀刻掉所述隔离结构约至约从而暴露所述隔离沟槽的 所述上部侧壁。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括，在形成所述隔离沟槽之后，在 包括所述隔离沟槽的所述硬掩模层上形成衬垫绝缘层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中使用硼或BF₂实施所述离子注入工 艺。

6.根据权利要求1所述的方法，其中使用0.1E12原子/cm²至1.0E13原 子/cm²的杂质浓度来实施所述离子注入工艺。

7.根据权利要求1所述的方法，其中以相对于所述半导体衬底成1°至90° 的注入角和以1°至45°的旋转角来实施所述离子注入工艺。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在实施所述离子注入工艺之后，通过沿着字线蚀刻所述硬掩模层、所 述用于浮置栅极的导电层和所述隧道绝缘层来暴露所述半导体衬底的有 源区；和

实施源极漏极离子注入工艺。

9.一种制造半导体器件的方法，包括：

在半导体衬底上形成隧道绝缘层和用于浮置栅极的导电层；

通过蚀刻所述用于浮置栅极的导电层、所述隧道绝缘层和所述半导体 衬底，形成具有侧壁的隔离沟槽；

通过用绝缘层填充所述隔离沟槽形成隔离结构；

通过蚀刻掉所述隔离结构的预定厚度来暴露所述隔离沟槽的上部侧 壁；

通过实施第一离子注入工艺在所述隔离沟槽的暴露的上部侧壁中形成 离子注入区域；

通过沿着字线蚀刻所述用于浮置栅极的导电层和所述隧道绝缘层来暴 露所述半导体衬底的有源区；和

通过实施第二离子注入工艺在所述暴露的有源区中形成结区。

10.根据权利要求9所述的方法，其中在蚀刻掉所述隔离结构的所述预定 厚度之后，所述隔离结构的暴露的顶表面低于所述半导体衬底中结区的深 度。

11.根据权利要求9所述的方法，其中通过从所述半导体衬底的顶表面开 始计算蚀刻掉所述隔离结构约至约从而暴露所述隔离沟槽的 所述上部侧壁。

12.根据权利要求9所述的方法，其中使用硼或BF₂实施所述第一离子注 入工艺。

13.根据权利要求9所述的方法，其中使用0.1E12原子/cm²至1.0E13原 子/cm²的杂质浓度来实施所述第一离子注入工艺。

14.根据权利要求9所述的方法，其中以基于所述半导体衬底为1°至90° 的注入角和以1°至45°的旋转角来实施所述第一离子注入工艺。

15.根据权利要求9所述的方法，其中以相对于所述半导体衬底为1°至90° 的注入角来实施所述第二离子注入工艺。

16.根据权利要求9所述的方法，其中以相对于所述晶片成选自0°、45°、 90°、135°、180°、225°、270°和315°中的离子注入角来对晶片实施所述第 二离子注入工艺。