[发明专利]闪速存储设备的编程方法

权利要求书

1.一种闪速存储设备的编程方法，包括：

把第一数据和第二数据输入到页缓冲器，所述页缓冲器被耦接到包括偶数页和奇数页的存储单元；

使用所述第一数据对奇数页的第一存储单元进行预先编程；

使用所述第二数据对所述偶数页的第二存储单元进行编程；并且

使用所述第一数据来对预先编程的第一存储单元进行编程。

2.如权利要求1所述的编程方法，其中使用低于目标验证电压的第一验证电压来执行对所述预先编程的验证。

3.如权利要求2所述的编程方法，其中所述第一验证电压和所述目标验证电压之间的差异是源于在所述偶数页和所述奇数页之间的干扰效应的阈值电压分布的偏移。

4.如权利要求1所述的编程方法，其中在编程第一存储单元和第二存储单元之后使用目标验证电压来执行编程验证。

5.如权利要求1所述的编程方法，其中预先编程之后的第一存储单元的阈值电压已经响应于第二存储单元的编程操作的干扰效应而上升。

6.如权利要求1所述的编程方法，其中使用增量阶跃脉冲编程方法来执行第一存储单元的编程和第二存储单元的编程。

7.如权利要求1所述的编程方法，其中预先编程的第一存储单元的阈值电压分布小于编程的第二存储单元的阈值电压分布。

8.一种闪速存储设备的编程方法，包括：

把第一数据和第二数据输入到页缓冲器，所述页缓冲器被耦接到包括偶数页和奇数页的存储单元；

使用所述第一数据对所述奇数页的第一存储单元进行预先编程；

使用所述第二数据对所述偶数页的第二存储单元进行编程；

使用编程电压对第二存储单元重复地执行编程操作，直到通过执行第一验证操作而判定第二存储单元的阈值电压高于目标阈值电压，其中所述编程电压在每次重复都被提高了阶跃电压；

使用所述第一数据来对预先编程的第一存储单元进行编程；并且

使用编程电压对第一存储单元重复地执行编程操作，直到通过执行第二验证操作而判定第一存储单元的阈值电压高于所述目标阈值电压，其中所述编程电压在每次重复都被提高了阶跃电压。

9.如权利要求8所述的编程方法，其中已经执行预先编程之后的第一阈值电压的最小值小于目标阈值电压。

10.如权利要求8所述的编程方法，其中使用低于目标验证电压的第一验证电压来执行对所述预先编程的验证。

11.如权利要求10所述的编程方法，其中所述第一验证电压和所述目标验证电压之间的差异是源于在所述偶数页和所述奇数页之间的干扰效应的阈值电压分布的偏移。

12.如权利要求8所述的编程方法，其中在编程第一存储单元和第二存储单元之后使用目标验证电压来执行编程验证。

13.如权利要求8所述的编程方法，其中预先编程之后的第一存储单元的阈值电压已经响应于第二存储单元的编程操作的干扰效应而上升。

14.如权利要求8所述的编程方法，其中使用增量阶跃脉冲编程方法来执行第一存储单元的编程和第二存储单元的编程。

15.如权利要求8所述的编程方法，其中预先编程的第一存储单元的阈值电压分布小于编程的第二存储单元的阈值电压分布。

16.一种闪速存储设备的编程方法，包括：

把第一数据和第二数据输入到页缓冲器，所述页缓冲器被耦接到包括偶数页和奇数页的存储单元；

通过向奇数页的第一存储单元施加第一数据和低于目标验证电压的第一验证电压来对第一存储单元进行预先编程；并且

在通过向第一存储单元施加第一数据和所述目标验证电压来对预先编程的第一存储单元进行编程之前，通过向偶数页的第二存储单元施加第二数据和所述目标验证电压来对第二存储单元进行编程。

17.如权利要求16所述的编程方法，其中第一验证电压低于所述目标验证电压，使得编程第二存储单元之后的第一存储单元的阈值电压分布高于编程第二存储单元之前的第一存储单元的阈值电压分布，但是低于编程第一存储单元之后的第一存储单元的阈值电压分布。

18.如权利要求16所述的编程方法，其中使用增量阶跃脉冲编程方法来执行第一存储单元的编程和第二存储单元的编程。