[发明专利]用于半导体封装体的引线框

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路(IC)的封装，并且更具体地涉及用于半导体封装体的引线框。

背景技术

来自半导体封装体引线框的模塑料的分层(delamination)是不期望的，因为它可以致使封装体失效。可以由引线框分层引起的失效机理包括接合拉起(bond lifting)、跟部开裂(heel cracking)以及断线。引线框分层还可以导致封装体开裂。因此，期望具有可以减少引线框分层发生的引线框。

附图说明

当结合附图阅读时将更好理解本发明优选实施例的以下详细说明。本发明由附图以实例的方式来示出，并且不受附图的限制，在附图中相似的附图标记表示类似的元件。应当理解，附图没有按比例绘制，并且为了便于理解本发明已经被简化。

图1是根据本发明实施例的引线框的示意性顶部平面图；

图2是沿着线X-X的图1的引线框的一部分的放大截面图；

图3是根据本发明另一实施例的半导体封装体的示意性顶部平面局部剖视图；以及

图4是沿着图3中的线Y-Y的引线框的一部分的放大截面图。

具体实施方式

下面结合附图阐述的详细说明意图作为本发明当前优选实施例的描述，而不意图表示可以实现本发明的唯一形式。应当理解，可以由不同的实施例来实现相同的或者等同的功能，所述不同的实施例意图包含在本发明的精神和范围内。在附图中，自始至终相似的标记用来表示相似的元件。

本发明提供了一种引线框，其包括具有管芯(die)支撑区域和多个电接触区域的引线框结构。在一个实施例中，在该引线框结构的表面上形成浅凹槽。在另一实施例中，在该引线框结构的表面上至少部分地围绕该引线框结构的多个关键部分中的相应的关键部分形成多个浅凹槽。在又一实施例中，在该引线框结构的表面上形成浅凹槽。将集成电路(IC)管芯附接于管芯支撑区域并且电连接到电接触区域。该引线框结构的一部分以及该IC管芯由模塑料密封。

现在参考图1，其示出了引线框10的示意性顶部平面图。引线框10包括引线框结构12，引线框结构12具有管芯支撑区域14和多个电接触区域16。在引线框结构12的表面上至少部分地围绕该引线框结构12的多个关键部分20中的相应的关键部分形成多个浅凹槽18。

引线框10可以由铜或者金属合金板或条经由刻蚀或者冲压来形成，如现有技术中已知的。引线框10可以具有约120微米(μm)到约770μm之间的厚度，并且可以镀有金属或者金属合金。使管芯支撑区域14的尺寸和形状适合于接收集成电路(IC)管芯。管芯的尺寸以及因此管芯支撑区域14的尺寸可以根据在其中的电路的功能而变化。如本领域技术人员将理解的，本发明不由管芯支撑区域14的尺寸和形状来限制。电接触区域16(有时也被称为引线指)通常围绕引线框10的周界放置，或者沿着引线框10的一个或多个边放置。如可以在图1中看到的，电接触区域16的长度可以变化。例如，最靠近或者邻近于管芯支撑区域14的电接触区域16可以比更远离管芯支撑区域14的电接触区域短。然而，在其它实施例中，电接触区域16可以具有一致的长度。

现在参考图2，示出了沿着图1中的线X-X的引线框10的一部分的放大截面图。如图2所示，将浅凹槽18形成为引线框结构12的关键部分20中的沟槽。

在引线框结构12的表面上提供浅凹槽18增大了引线框10和随后淀积于其上的密封材料之间的接触面积。接触面积的增大有助于改进引线框10和密封材料之间的粘附性。另外，浅凹槽18有助于容纳在引线框10和密封材料之间的任何初始的分层。

可以将浅凹槽18形成为具有在引线框结构12的厚度的约百分之十五(15％)到约30％之间的深度，并且更优选地具有在引线框结构12的厚度的约20％到约25％之间的深度。例如，在引线框结构12具有约510μm的厚度时，可以将浅凹槽18形成为具有在约100微米(μm)到约130μm之间的深度。

浅凹槽18可以具有在约0.1毫米(mm)到约0.25mm之间的宽度。有利地，相对于浅凹槽18形成于其中的引线框10的特定部分20的表面面积，浅凹槽18的宽度较窄，这允许浅凹槽18的布局上的灵活性。例如，浅凹槽18不限于直的沟槽设计，而是可以由不同的形状形成。浅凹槽18的宽度的狭窄也允许将浅凹槽18安置在引线框10的小的关键区域中。