[发明专利]坐标位置检测设备的制造方法

权利要求书

1.一种坐标位置检测设备的制造方法，该坐标位置检测设备包 括：

形成在基板上的电阻膜；和

构成为向该电阻膜施加电压的共用电极，

其中，通过从所述共用电极向所述电阻膜提供电位，在所述电阻 膜上产生电位分布，检测出所述电阻膜被接触的位置的电位，从而检 测出所述电阻膜的接触位置的坐标，

所述坐标位置检测设备的制造方法包括以下步骤：

在具有矩形结构的基板的四个边的电阻膜上形成所述共用电极；

利用电位测量电路经由分别与所述电阻膜的表面接触的多个探 头，测量所述电阻膜的电位的分布，其中所述电位从所述共用电极被 提供给所述电阻膜；

由计算部分根据所测量的电位分布的信息来计算其中所述电阻膜 将被去除的电阻膜除去区域，从而使在除去所述电阻膜除去区域之后 所述电阻膜的电位分布均匀；以及

通过激光除去由所述计算部分计算的电阻膜除去区域中的电阻 膜，其中

计算所述电阻膜除去区域的步骤被配置为，当在测量步骤中测量 的所述电阻膜的电位的分布与理论上的电位分布不一致的情况下，计 算所述电阻膜除去区域的间距或结构，使电位分布接近理论上的电位 分布。

2.如权利要求1所述的坐标位置检测设备的制造方法，

其中，在通过激光除去电阻膜的步骤中，将所述基板固定到移动 工作台上，所述移动工作台构成为至少在二维方向上移动；

在由所述控制电路根据由所述计算部分计算的所述电阻膜除去区 域的信息驱动所述移动工作台的同时，照射激光。

3.如权利要求1所述的坐标位置检测设备的制造方法，

其中，所述电阻膜包括ITO或氧化铟、氧化锡、氧化锌或氧化锑。

4.如权利要求1所述的坐标位置检测设备的制造方法，

其中，所述基板和所述电阻膜在可见区域中是透明的。

5.如权利要求1所述的坐标位置检测设备的制造方法，

其中，所述激光具有340nm～420nm的波长。