[发明专利]内建增强型金氧半场效晶体管的功率晶体管芯片及其应用电路

权利要求书

1.一种内建增强型金氧半场效晶体管的功率晶体管芯片，适用于交/直流电压转换电路，包括：

第一接脚；

第二接脚；

第三接脚；

第四接脚；

第五接脚；

功率晶体管，用以作为所述交/直流电压转换电路的功率开关，具有第一源/漏极、第二源/漏极与功率晶体管栅极，所述第一源/漏极耦接所述第一接脚，所述第二源/漏极耦接所述第二接脚，所述功率晶体管栅极耦接所述第三接脚；以及

增强型金氧半场效晶体管，用以作为所述交/直流电压转换电路的启动电路，具有第三源/漏极、第四源/漏极与增强型金氧半场效晶体管栅极，所述第三源/漏极耦接所述第一接脚，所述第四源/漏极耦接所述第四接脚，所述增强型金氧半场效晶体管栅极耦接所述第五接脚。

2.如权利要求1所述的功率晶体管芯片，还包括介于所述功率晶体管栅极与所述第三接脚间的电阻。

3.如权利要求1所述的功率晶体管芯片，其中所述功率晶体管为N型金氧半场效晶体管。

4.如权利要求1所述的功率晶体管芯片，其中所述增强型金氧半场效晶体管为N型增强型金氧半场效晶体管。

5.一种交/直流电压转换电路，适用于将交流电源转换为稳定的直流电源，包括：

功率晶体管，用以作为所述交/直流电压转换电路的功率开关，具有第一源/漏极、第二源/漏极与功率晶体管栅极；

增强型金氧半场效晶体管，用以作为所述交/直流电压转换电路的启动电路，具有第三源/漏极、第四源/漏极与增强型金氧半场效晶体管栅极，所述第三源/漏极耦接所述第一源/漏极；

整流电路，具有电源输入端与整流输出端，所述电源输入端用以接收所述交流电源；

分压电路，用以自所述整流输出端取得分压供应给所述增强型金氧半场效晶体管栅极；

变压器电路，具有主线圈与次线圈，所述主线圈的一端耦接所述整流输出端、另一端受所述功率晶体管的控制，以便可以通过所述次线圈的输出来产生所述直流电源；以及

脉宽调变电路，具有启动电源控制端、工作电源端与脉宽调变信号输出端，所述脉宽调变信号输出端耦接所述功率晶体管栅极，以控制所述功率晶体管的启闭，所述工作电源端耦接所述第四源/漏极，以接收经由所述增强型金氧半场效晶体管传送的启动电源，所述启动电源控制端耦接所述增强型金氧半场效晶体管栅极与所述分压电路，以在所述脉宽调变电路启动后，关闭所述增强型金氧半场效晶体管。

6.如权利要求5所述的交/直流电压转换电路，其中所述脉宽调变电路还通过所述分压电路提供的分压，以作为电源电压不足的检测。

7.如权利要求5所述的交/直流电压转换电路，还包括滤波与回授电路，耦接所述变压器电路的所述次线圈，用以滤波并输出所述直流电源及提供回授电压，而所述脉宽调变电路则依据所述回授电压的大小，来输出调变所述直流电源的脉宽调变信号。

8.如权利要求5所述的交/直流电压转换电路，还包括工作电源电路且所述变压器电路还具有副线圈，所述工作电源电路耦接所述变压器电路的所述副线圈及所述脉宽调变电路的所述工作电源端，用以在所述脉宽调变电路切断所述启动电源后，持续提供所述脉宽调变电路工作所需的电源。

9.如权利要求5所述的交/直流电压转换电路，其中所述功率晶体管为N型金氧半场效晶体管。

10.如权利要求5所述的交/直流电压转换电路，其中所述增强型金氧半场效晶体管为N型增强型金氧半场效晶体管。

11.如权利要求5所述的交/直流电压转换电路，其中所述功率晶体管及所述增强型金氧半场效晶体管整合于芯片中。

12.如权利要求11所述的交/直流电压转换电路，其中还包括介于所述功率晶体管栅极与所述脉宽调变信号输出端间的电阻，与所述功率晶体管及所述增强型金氧半场效晶体管整合于同一芯片中。