[发明专利]内建增强型金氧半场效晶体管的功率晶体管芯片及其应用电路有效
申请号: | 200910140911.3 | 申请日: | 2009-05-12 |
公开(公告)号: | CN101887895A | 公开(公告)日: | 2010-11-17 |
发明(设计)人: | 黄志丰;张光铭 | 申请(专利权)人: | 立锜科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L23/52;H01L29/78;H02M7/04 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 邬少俊;王英 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 增强 型金氧 半场 晶体管 功率 芯片 及其 应用 电路 | ||
技术领域
本发明涉及一种电压调节器(Voltage Regulator)电路,且特别涉及一种内建增强型金氧半场效晶体管(Enhancement Mode MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor,简称Enhancement ModeMOSFET)的功率晶体管芯片及应用此芯片的交/直流电压转换电路。
背景技术
随着半导体科技的快速演进,使得例如电脑及其周边数字产品等也日益地更新。在电脑及其周边数字产品的应用集成电路(Integrated Circuit,简称IC)中,由于半导体工艺的快速变化,造成集成电路电源的更多样化需求,以致应用如升压器(Boost Converter)、降压器(Buck Converter)等各种不同组合的电压调节器电路,来满足各种集成电路的不同电源需求,也成为能否提供多样化数字产品的极重要因素之一。在各种电压调节器电路中,交/直流电压转换电路(AC/DC Voltage Converter)由于能将一般市售的交流电源转换为所需稳定的直流电源输出,因而广泛地作为电压调节器电路的前级电路使用。
请参考图1所示,其为公知的一种交/直流电压转换电路图,图中显示,交/直流电压转换电路10包括:桥式整流电路11、功率晶体管芯片12、脉宽调变(Pulse Width Modulation,简称PWM)电路13、启动(Start Up)电路14、变压器电路15、滤波与回授电路16与工作电源电路17。其中,脉宽调变电路13用以依据输出的直流电源Vo的回授电压大小,来产生调变的脉宽调变信号,从而控制并输出稳定的直流电源Vo。然而,脉宽调变电路13通常需依赖低压直流电源来驱动,而交/直流电压转换电路10启始时,并无可供脉宽调变电路13工作所需的直流电源,因而应用图中的启动电路14与工作电源电路17,来接续提供其运作所需的电源。
交/直流电压转换电路10启始时,桥式整流电路11的输出端会输出具有涟波的直流电源,因此,即可通过组成启动电路14的电阻引入脉宽调变电路13中,以作为其启始运作的电源。之后,脉宽调变电路13即得以开始正常工作,以依据输出的直流电源Vo的回授电压大小,来产生调变的脉宽调变信号,从而控制功率晶体管芯片12的功率晶体管的启闭时间长短,进而输出稳定的直流电源Vo。在交/直流电压转换电路10启动并输出稳定的直流电源Vo后,连接变压器电路15的工作电源电路17,即可接手提供较为稳定的工作电源,使脉宽调变电路13可以更为稳定地工作。
前述作法虽可使交/直流电压转换电路10正常地工作,然而,当电路稳定工作后,启动电路14应可功成身退但却仍处于其原始状态,于工作效能而言,不免有所缺失。因此,乃如图2与图3所示地,以耗尽型金氧半场效晶体管(Depletion Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,简称Depletion MOSFET)221与331来取代,并通过脉宽调变电路23或33输出的启动信号st,来分别切断耗尽型金氧半场效晶体管221与331的运作,以节省功率的消耗。
图2与图3不同的是,耗尽型金氧半场效晶体管221与331,分别整合于功率晶体管芯片22与脉宽调变电路33的芯片中。然而,无论采用何种方式,应用耗尽型金氧半场效晶体管221或331,来作为启动电路的交/直流电压转换电路,其芯片的制造过程,都会因为耗尽型金氧半场效晶体管221或331所增加的通道(N通道或P通道)工艺,使得其芯片的工艺更为复杂。
此外,采用与前述不同整合方式的交/直流电压转换电路,例如:美国专利第6,972,971号、第5,014,178号以及第5,285,369号等,虽可因应不同的设计需求,来将启动电路、脉宽调变电路与功率晶体管等,分别整合于具有两芯片电路的系统芯片中,或甚至整合于同一芯片电路中,然而其仍无法提供脉宽调变电路电源电压不足的检测(brown-out detection),故亦显得还有所不足。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的是提供一种功率晶体管芯片及应用此芯片的交/直流电压转换电路,其使用增强型金氧半场效晶体管,搭配两串联电阻所构成的分压电路,来作为启动电路,并将增强型金氧半场效晶体管内建于功率晶体管芯片中。因此,不仅不会增加额外的掩模与工艺,还可简化工艺、节省成本,更能同时提供电源电压不足的检测功能。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的