[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200910141718.1 | 申请日： | 2005-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN101615619A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;荒尾达也 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/13 | 分类号： | H01L27/13;H01Q23/00;H01Q1/38;G06K19/077 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦 晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
挠性衬底，包含纸或塑料衬底，
集成电路，
具有导线的天线，和
与所述导线的一侧接触的绝缘膜，
其中，所述集成电路和所述天线形成在所述挠性衬底上方以便相 互电连接，以及
所述绝缘膜包含选自由聚酰亚胺，环氧树脂，丙烯和聚酰胺构成 的组中的有机树脂。
2.根据权利要求1的半导体器件，其中，软磁材料的微粒包含 在所述绝缘膜中。
3.根据权利要求1的半导体器件，其中，所述集成电路包括薄 膜晶体管。
4.一种半导体器件，包括：
挠性衬底，包含纸或塑料衬底，
集成电路，
具有导线的天线，和
与所述导线的一侧接触的绝缘膜，
其中，所述集成电路和所述天线形成在所述挠性衬底上方以便相 互电连接，
覆盖材料形成在所述集成电路和所述天线的上方，以及
所述绝缘膜包含选自由聚酰亚胺，环氧树脂，丙烯和聚酰胺构成 的组中的有机树脂。
5.根据权利要求4的半导体器件，其中，软磁材料的微粒包含 在所述绝缘膜中。
6.根据权利要求4的半导体器件，其中，所述集成电路包括薄 膜晶体管。
7.一种半导体器件，包括：
挠性衬底，包含纸或塑料衬底，
集成电路，
具有导线的天线，和
与所述导线的一侧接触的第一绝缘膜，
其中，粘合剂形成在所述挠性衬底上方，
第二绝缘膜形成在所述粘合剂上方，
所述集成电路和所述天线形成在所述第二绝缘膜上方以便相互 电连接，以及
所述第一绝缘膜包含选自由聚酰亚胺，环氧树脂，丙烯和聚酰些 构成的组中的有机树脂。
8.根据权利要求7的半导体器件，其中，所述第一绝缘膜中包 含软磁材料的微粒。
9.根据权利要求8的半导体器件，其中，所述软磁材料是Fe； Co；Ni；至少包含Fe，Co，和Ni中之一的合金。
10.根据权利要求8的半导体器件，其中，所述软磁材料是 3Y2O3·5Fe2O3(YIG)；Fe2O3；Fe-Si-Al合金；Fe-Cr合金；FeP合 金；Ni或Ni-Fe合金被添加了Mo，Cu，Cr和Nb中至少之一的坡莫 合金。
11.根据权利要求8的半导体器件，其中，所述软磁材料是软铁 氧体。
12.根据权利要求11的半导体器件，其中，所述软铁氧体是 Mn-Zn铁氧体。
13.根据权利要求7的半导体器件，其中，所述集成电路包括薄 膜晶体管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910141718.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：显示器件
- 下一篇：安装结构体及安装方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
