[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一半导体基底，其具有相对的电路侧与背侧；

多个硅穿孔，延伸进入该半导体基底，且每一硅穿孔具有一突出部，突 出于该半导体基底的背侧；

一隔离层，位于该半导体基底的背侧且介于相邻的硅穿孔之间，该隔离 层未延伸超过每一硅穿孔的突出部的顶端；以及

一导电元件，位于每一硅穿孔的突出部上，其中，该导电元件包含焊球， 且所述导电元件直接位于每一硅穿孔的突出部上；

并且，所述半导体装置还包括：

一蚀刻停止层，位于所述电路侧；

一内层介电层，其中，所述蚀刻停止层位于所述内层介电层和所述半导 体基底之间，并且与每一硅穿孔的底部直接接触；

一电路，位于所述半导体基底的电路侧；

接触插塞，形成于内层介电层中以提供电性接触至电路。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该隔离层延伸至每一硅穿孔的 突出部的侧壁。

3.一种半导体装置的制造方法，包括：

提供一半导体基底，其具有一硅穿孔从一电路侧延伸进入该半导体基底；

薄化该半导体基底的背侧，使该硅穿孔突出于该半导体基底的背侧；

形成一隔离层于该半导体基底的背侧与该硅穿孔上；

薄化该隔离层以露出该硅穿孔；以及

形成一导电元件于该硅穿孔上，且所述导电元件直接位于该硅穿孔的突 出部上；

其中，形成该导电元件的步骤包括：形成一焊球于该硅穿孔上；

并且，该方法进一步包括：

预先在所述电路侧形成一蚀刻停止层、一内层介电层以及一电路，其中， 所述蚀刻停止层位于所述内层介电层和所述半导体基底之间且与所述硅穿孔 的底部直接接触，并且，在内层介电层中形成接触插塞，以提供电性接触至 电路。

4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中该半导体基底与该 硅穿孔之间还包括一衬层，且还包括去除该硅穿孔上的衬层。

5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中去除该硅穿孔上的 衬层的步骤是于该隔离层形成后进行。

6.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中该隔离层具有一平 坦表面。

7.一种半导体装置的制造方法，包括：

提供一半导体基底，其具有相对的第一侧与第二侧，该半导体基底具有 一硅穿孔从第一侧部分延伸进入该半导体基底；

露出该硅穿孔，使该硅穿孔至少一部分突出于该半导体基底的第二侧；

形成一介电层于该半导体基底的第二侧；

形成一图案化掩模于该介电层上，并露出该硅穿孔上的该介电层；以及

去除该硅穿孔上的该介电层；

形成一导电元件于该硅穿孔上，且所述导电元件直接位于该硅穿孔的突 出部上；

其中，形成该导电元件的步骤包括：形成一焊球于该硅穿孔上；

并且，该方法进一步包括：

预先在所述第一侧形成一蚀刻停止层、一内层介电层以及一电路，其中， 所述蚀刻停止层位于所述内层介电层和所述半导体基底之间且与所述硅穿孔 的底部直接接触，并且，在内层介电层中形成接触插塞，以提供电性接触至 电路。

8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中该半导体基底与该 硅穿孔之间更包括一衬层。

9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中于形成该图案化掩 模的后还包括：去除该硅穿孔上的衬层。

10.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中该衬层延伸至该硅 穿孔的突出部分的侧壁。