[发明专利]一种半导体元件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成一半导体元件的方法，其特征在于该方法至少包含以下步 骤：

提供一基板，其具有一栅极堆叠形成于其上；

在该基板中形成重掺杂源极/漏极区域于该栅极堆叠的相对侧上；

形成一掺杂剂的一原子层于该基板中该栅极堆叠的相对侧的一表面 上；以及

退火该基板，从而在该基板中该栅极堆叠的相对侧上形成超浅接面。

2.根据权利要求1所述的形成一半导体元件的方法，其特征在于至少 更包含，在形成一掺杂剂的一原子层之前，使该基板中该栅极堆叠的相对 侧凹陷，从而形成多个凹陷，且其中该形成一掺杂剂的一原子层的步骤至 少包含形成该原子层于该些凹陷中。

3.根据权利要求2所述的形成一半导体元件的方法，其特征在于至少 更包含磊晶生长一磊晶层于该些凹陷中。

4.根据权利要求3所述的形成一半导体元件的方法，其特征在于至少 更包含原位掺杂该磊晶层。

5.根据权利要求1所述的形成一半导体元件的方法，其特征在于其中 所述的形成重掺杂源极/漏极区域的步骤是在该形成一掺杂剂的一原子层 的步骤前进行。

6.根据权利要求1所述的形成一半导体元件的方法，其特征在于其中 所述的形成重掺杂源极/漏极区域的步骤包含凹陷该基板从而形成多个凹 陷，以及磊晶生长一应力层于该些凹陷中。

7.根据权利要求1所述的形成一半导体元件的方法，其特征在于其中 该些超浅接面延伸至该栅极堆叠。

8.一种形成一半导体元件的方法，其特征在于该方法至少包含以下步 骤：

提供一基板，其具有一栅极堆叠形成于其上；

使该基板中该栅极堆叠的相对侧的至少一部份凹陷，从而在该栅极堆 叠的相对侧上形成多个第一凹陷；

形成一原子层，其是沿着该些第一凹陷的每一个的一底部表面及一侧 壁；

退火该基板；

磊晶生长一第一磊晶层于该些第一凹陷的每一个中；以及

形成源极/漏极区域于该栅极堆叠的相对侧上，该些第一凹陷延伸至比 该些源极/漏极区域更接近该栅极堆叠。

9.根据权利要求8所述的形成一半导体元件的方法，其特征在于至少 更包含原位掺杂该第一磊晶层。

10.根据权利要求8所述的形成一半导体元件的方法，其特征在于其 中所述的形成源极/漏极区域的步骤是在该凹陷步骤前进行。

11.根据权利要求8所述的形成一半导体元件的方法，其特征在于其 中所述的形成源极/漏极区域的步骤至少包含形成多个第二凹陷于该栅极 堆叠的相对侧上以及磊晶生长一第二磊晶层于该些第二凹陷的每一个中。

12.一种半导体元件，其特征在于至少包含：

一基板；

一栅极，以一栅极堆叠的形式堆叠形成于该基板上；

多个超浅接面，形成于该基板中该栅极堆叠的相对侧中的多个第一凹 陷中；以及

源极/漏极区域，形成于该基板中该栅极堆叠的相对侧。

13.根据权利要求12所述的半导体元件，其特征在于其中所述的源极 /漏极区域至少包含一磊晶层在该基板的多个第二凹陷中，该些第二凹陷比 该些第一凹陷更加延伸至该基板内。

14.根据权利要求12所述的半导体元件，其特征在于其中该些超浅接 面至少包含一磊晶硅层。

15.根据权利要求12所述的半导体元件，其特征在于其中该些超浅接 面至少包含与该基板不同的一材料。

16.根据权利要求12所述的半导体元件，其特征在于其中该些超浅接 面在一衬垫下方延伸，该衬垫是沿着该栅极堆叠而设置。